產(chǎn)品亮點(diǎn)

大大簡化了CV/CC轉(zhuǎn)換器

消除光耦和所有輔助CV/CC控制電路

消除所有控制回路補(bǔ)償電路

高級(jí)性能功能

補(bǔ)償變壓器電感公差

補(bǔ)償輸入線電壓變化

補(bǔ)償電纜壓降（LNK61X系列）

補(bǔ)償外部部件溫度變化

采用專有微調(diào)技術(shù)的IC參數(shù)公差非常嚴(yán)格

技術(shù)

頻率抖動(dòng)大大降低了EMI濾波器的成本

使用外部電阻器可實(shí)現(xiàn)更嚴(yán)格的輸出公差

選擇/修剪

可編程開關(guān)頻率高達(dá)85 kHz，以減小變壓器尺寸

高級(jí)保護(hù)/安全功能

自動(dòng)重啟保護(hù)可減少95%以上的輸出功率

短路和控制回路故障（部件開路和短路）

滯后熱關(guān)機(jī)-自動(dòng)恢復(fù)降低功率

補(bǔ)給從外地返回

滿足排水管和所有

PCB和封裝上的其他引腳

生態(tài)智能™–節(jié)能

輕松滿足全球能效要求

230伏交流電壓下，空載消耗低于30兆瓦，可選

外偏置繞組

開/關(guān)控制提供恒定的效率，低至非常輕的負(fù)載–適用于CEC和ENERGY STAR 2.0法規(guī)

•無電流感應(yīng)電阻器-最大限度地提高效率

綠色包裝

無鹵素和符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的包裝

應(yīng)用

手機(jī)/無繩電話、PDA、MP3/便攜式音頻充電器

設(shè)備、適配器、LED驅(qū)動(dòng)器等。

說明

連接開關(guān)™-II大大簡化了低功耗CV/CC充電器通過消除光耦和輔助控制電路進(jìn)行設(shè)計(jì)。該設(shè)備引入了革命性的控制技術(shù)，以提供輸出電壓電流調(diào)節(jié)嚴(yán)密，對(duì)變壓器進(jìn)行補(bǔ)償以及輸入電壓變化的內(nèi)部參數(shù)公差。該器件集成了一個(gè)700伏功率MOSFET，一種新穎的開關(guān)控制狀態(tài)機(jī)，一種用于自偏壓的高壓開關(guān)電流源，頻率抖動(dòng)、循環(huán)電流限制和滯后熱關(guān)閉單片集成電路。

圖1.典型應(yīng)用/性能-非簡化電路（a）和輸出特性包絡(luò)（b）。

表1.輸出功率表。

筆記：

1.典型非通風(fēng)封閉式適配器的最小持續(xù)功率在+50°C環(huán)境溫度下測量，裝置，TJ<100攝氏度。

2.開放式框架設(shè)計(jì)中的最大實(shí)際連續(xù)功率在50°C環(huán)境溫度下測量的熱沉（更多信息見關(guān)鍵應(yīng)用考慮部分）。

3.包裝：P:DIP-8C，G:SMD-8C，D:SO-8C。

引腳功能描述

排水（D）銷：這個(gè)引腳是功率MOSFET漏極連接。它提供內(nèi)部啟動(dòng)和穩(wěn)態(tài)運(yùn)行的工作電流。

旁路/多功能可編程（BP/M）引腳：此引腳具有多種功能：1.它是外部旁路電容器的連接點(diǎn)內(nèi)部產(chǎn)生6 V電源。2.它是電纜跌落補(bǔ)償?shù)哪Ｊ竭x擇LNK61X系列。

反饋（FB）引腳：在正常工作期間，功率MOSFET的開關(guān)是控制的用這個(gè)別針。該引腳感應(yīng)偏置繞組上的交流電壓。這個(gè)控制輸入調(diào)節(jié)CV模式下的輸出電壓和輸出基于偏置繞組反激電壓的CC模式電流。內(nèi)部電感校正電路使用正向電壓on偏壓繞組用來感應(yīng)電容器的電壓。

源引腳：此引腳內(nèi)部連接到輸出MOSFET源高壓電源與控制電路共用回路。

LinkSwitch II功能描述

LinkSwitch II組合了一個(gè)高壓功率MOSFET在一個(gè)設(shè)備中帶有電源控制器的開關(guān)。類似于連接開關(guān)LP和TinySwitch III，采用開關(guān)控制進(jìn)行調(diào)節(jié)輸出電壓。此外，開關(guān)頻率被調(diào)制調(diào)節(jié)輸出電流以提供恒定電流特點(diǎn)。LinkSwitch II控制器包括一個(gè)振蕩器，反饋（感測和邏輯）電路，6 V調(diào)節(jié)器，溫度過高保護(hù)，頻率抖動(dòng)，限流電路，前沿消隱，電感校正電路，頻率控制恒流調(diào)節(jié)和恒流控制的開關(guān)狀態(tài)機(jī)。

電感校正電路

如果一次磁化電感過高或過低轉(zhuǎn)換器將通過調(diào)整振蕩器頻率。因?yàn)檫@個(gè)控制器被設(shè)計(jì)成在不連續(xù)導(dǎo)通模式輸出功率直接與設(shè)定的初級(jí)電感成比例，其公差可以通過調(diào)整開關(guān)完全補(bǔ)償頻率。

恒流（CC）操作

作為輸出電壓因此反激電壓偏置繞組增大，反饋管腳電壓增大。這個(gè)開關(guān)頻率根據(jù)反饋管腳電壓進(jìn)行調(diào)整增加以提供恒定的輸出電流調(diào)節(jié)。這個(gè)恒流電路和電感校正電路是設(shè)計(jì)為在CC區(qū)域同時(shí)運(yùn)行。

恒壓（CV）操作

當(dāng)反饋管腳從恒定電流接近VFBth時(shí)調(diào)節(jié)模式下，電源轉(zhuǎn)換為CV操作。此時(shí)的開關(guān)頻率為最大值，對(duì)應(yīng)于CC/CV特性的峰值功率點(diǎn)。控制器調(diào)節(jié)反饋引腳電壓，使其保持在VFBth使用開/關(guān)狀態(tài)機(jī)。反饋引腳電壓為高壓開關(guān)關(guān)閉后2.5ms取樣。在燈光下負(fù)載電流限制也降低，以減少變壓器通量密度。

輸出電纜補(bǔ)償

這種補(bǔ)償在在CV模式下的整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的電纜。作為轉(zhuǎn)換器負(fù)荷從空載增加到峰值功率點(diǎn)（過渡點(diǎn)在CV和CC之間）輸出端引入的電壓降通過增加反饋引腳參考值來補(bǔ)償電纜電壓。控制器決定輸出負(fù)載，因此基于狀態(tài)輸出的正確補(bǔ)償程度機(jī)器。24 AWG（0.3 W）電纜的電纜跌落補(bǔ)償選擇CBP=1 mF，對(duì)于26 AWG（0.49 W）電纜CPB=10毫伏。

自動(dòng)重啟和開環(huán)保護(hù)

如果出現(xiàn)輸出短路或開路等故障情況回路條件鏈路開關(guān)II進(jìn)入適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)模式如下所述。如果反饋引腳電壓在反激期間下降在反饋針采樣延遲（約2.5 ms）之前低于0.7 V持續(xù)時(shí)間超過~450 ms（自動(dòng)重啟on-time（tAR on-time）時(shí)變換器進(jìn)入自動(dòng)重啟，功率MOSFET為禁用2秒（~18%自動(dòng)重啟占空比）。自動(dòng)重啟交替啟用和禁用電源切換MOSFET，直到故障排除。除上述自動(dòng)重啟條件外，如果在導(dǎo)通周期（開關(guān)“開啟”時(shí)間）低于120毫安，轉(zhuǎn)換器將其通知為開環(huán)狀態(tài)（頂部電阻處于電位分隔器打開或丟失），并從450毫秒到大約6個(gè)時(shí)鐘周期（90毫秒），同時(shí)保持禁用時(shí)間為2秒。過熱保護(hù)熱關(guān)機(jī)電路感測模具溫度。這個(gè)閾值設(shè)置為142°C，典型值為60°C滯后。當(dāng)模具溫度升高超過此閾值（142°C）功率MOSFET被禁用，并且在模具溫度達(dá)到之前保持禁用狀態(tài)下降60°C，此時(shí)MOSFET重新啟用。

電流限制

限流電路檢測功率MOSFET中的電流。當(dāng)電流超過內(nèi)部閾值（ILIMIT）時(shí)，功率MOSFET在這個(gè)循環(huán)的剩余時(shí)間被關(guān)閉。領(lǐng)先的邊緣消隱電路抑制電流限制比較器短路功率MOSFET開啟后的時(shí)間（tLEB）。這個(gè)前沿已設(shè)置消隱時(shí)間，使電流尖峰電容和整流器反向恢復(fù)時(shí)間不會(huì)引起MOSFET傳導(dǎo)過早終止。連接開關(guān)II還包含一個(gè)“di/dt”校正功能，以最大限度地減少CC的變化輸入行范圍。

6.0 V調(diào)節(jié)器

6V調(diào)節(jié)器為連接到的旁路電容器充電通過從當(dāng)MOSFET關(guān)閉時(shí)，請(qǐng)進(jìn)行放電。旁通銷是內(nèi)部的電源電壓節(jié)點(diǎn)。當(dāng)MOSFET打開時(shí)，設(shè)備會(huì)從旁路電容器中儲(chǔ)存的能量。極低功率內(nèi)部電路的消耗允許連接開關(guān)II利用從排液銷引出的電流連續(xù)工作。旁路電容器值為1 mF或10 mF就足夠了高頻解耦和儲(chǔ)能。

圖5.節(jié)能型USB充電器電源（平均效率74%，空載輸入功率<30 mW）。

電路描述

圖5所示的電路被配置為一次側(cè)使用LNK613DG的穩(wěn)壓反激電源。帶著平均效率為74%，空載輸入功率<30mw設(shè)計(jì)輕松超越當(dāng)前最嚴(yán)格的能效要求。

輸入濾波器

交流輸入功率由二極管D1到D4整流。糾正直流電由大容量存儲(chǔ)電容器C1和C2過濾。電感器L1，C1和C2構(gòu)成一個(gè)pi（π）濾波器，用來衰減傳導(dǎo)的差模EMI噪聲。這種配置以及電源集成屏蔽變壓器™ 技術(shù)允許這種設(shè)計(jì)滿足電磁干擾標(biāo)準(zhǔn)EN55022 B級(jí)，具有良好的裕度，無需a Y電容器，即使輸出連接到安全接地。可熔電阻器RF1可防止災(zāi)難性故障。其額定值應(yīng)適當(dāng)（通常為繞線式）當(dāng)輸入電容器首次連接到交流線路時(shí)充電。

LNK 613初級(jí)

LNK613DG裝置（U1）包括電源開關(guān)裝置，振蕩器、CC/CV控制引擎、啟動(dòng)和保護(hù)功能。集成的700V MOSFET提供了一個(gè)大的漏極電壓裕度在通用輸入交流應(yīng)用中，提高了可靠性通過允許更大的變壓器匝數(shù)比。該設(shè)備完全由旁路引腳和去耦電容器C4。對(duì)于LNK61X器件中，旁路電容值還可選擇輸出量電纜壓降補(bǔ)償。1 mF值選擇標(biāo)準(zhǔn)補(bǔ)償。10 mF值選擇增強(qiáng)型補(bǔ)償。表2顯示了每個(gè)裝置的補(bǔ)償量旁路電容值。LNK60x設(shè)備不提供電纜下降補(bǔ)償。

由D6和C5形成的可選偏壓電源提供操作通過電阻器R4的U1電流。這降低了空載消耗從~200兆瓦到<30兆瓦，還可提高輕載效率。整流和濾波輸入電壓施加在T1的一次繞組。變壓器一次側(cè)的另一側(cè)繞組由U1中集成的MOSFET驅(qū)動(dòng)。泄漏電感漏極電壓尖峰由RCD-R鉗位限制由D5、R2、R3和C3組成。

輸出整流

變壓器的二次繞組由D7、a1a、40v整流肖特基勢壘型效率更高，并由C7過濾。如果較低的效率是可以接受的，那么可以用1個(gè)PN結(jié)二極管，成本更低。在這個(gè)應(yīng)用程序中，C7的大小是無紋波電壓要求需要后LC過濾器。滿足電池自放電要求預(yù)載電阻器已更換為串聯(lián)電阻器和齊納網(wǎng)絡(luò)（R8和VR1）。但是在設(shè)計(jì)中要求可使用標(biāo)準(zhǔn)1 kW電阻器。

輸出調(diào)節(jié)

LNK613使用輸出特性的恒壓調(diào)節(jié)區(qū)恒流（CC）調(diào)節(jié)的頻率控制。反饋電阻器（R5和R6）選用標(biāo)準(zhǔn)1%電阻器使標(biāo)稱輸出電壓和常數(shù)居中的值當(dāng)前監(jiān)管閾值。

關(guān)鍵應(yīng)用注意事項(xiàng)

輸出功率表

數(shù)據(jù)表最大輸出功率表（表1）表示最大實(shí)際連續(xù)輸出功率電平在以下假設(shè)條件下獲得：

1.最小直流輸入電壓為90V或更高，輸入電壓為85VAC。輸入電容值應(yīng)足夠大滿足這些交流輸入設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。

2.二次輸出5伏與肖特基整流二極管。

3.假設(shè)效率為70%。

4.間斷模式運(yùn)行（KP>1.3條）。

5.該部分是板安裝與源引腳焊接到一個(gè)足夠的銅面積，以保持源引腳溫度或低于90°C。

6.開放式框架設(shè)計(jì)的環(huán)境溫度為50°C適配器設(shè)計(jì)的內(nèi)部外殼溫度為60°C。

注：如果輸出CC公差，則可以實(shí)現(xiàn)更高的輸出功率>±10%是可以接受的，允許設(shè)備在更高的溫度下運(yùn)行源引腳溫度。

輸出公差

LinkSwitch II提供整體輸出公差（包括線路，元件變化和溫度）為輸出電壓的±5%在CV操作中，以及CC運(yùn)行期間輸出電流的±10%

P/G的結(jié)溫范圍為0°C至100°C包裹。對(duì)于D包（SO8），可能會(huì)出現(xiàn)額外的CC偏差由于制造流程引起的應(yīng)力（即焊接波浸沒或紅外回流）。電源構(gòu)建示例是建議驗(yàn)證每個(gè)設(shè)計(jì)的生產(chǎn)公差。旁路引腳電容器選擇用于LinkSwitch II 60x系列設(shè)備（無輸出電纜壓降補(bǔ)償）建議使用1 mF旁路管腳電容器。電容器電壓額定值應(yīng)大于7V。電容器的電介質(zhì)材料不重要，但電容器的公差應(yīng)≤±50%。這個(gè)電容器的物理位置必須靠近連接開關(guān)II旁通銷。用于LinkSwitch II 61x系列設(shè)備（帶輸出電纜電壓降補(bǔ)償）輸出電纜補(bǔ)償量可通過旁路引腳電容值。值1 mF選擇標(biāo)準(zhǔn)電纜補(bǔ)償。10毫伏電容器選擇增強(qiáng)型電纜補(bǔ)償。表2顯示了每個(gè)連接開關(guān)II裝置和電容值。電容器可以陶瓷或電解，但公差和溫度變化應(yīng)≤±50%。輸入PIXls設(shè)計(jì)電子表格的輸出電壓為當(dāng)電源為提供最大功率。終端的輸出電壓在電纜末端測量的值乘以電纜的值輸出電壓變化系數(shù)。

LinkSwitch II布局考慮因素

電路板布局

LinkSwitch II是一種高度集成的電源解決方案集成在一個(gè)芯片上，控制器和高壓MOSFET。高開關(guān)電流和高電壓的存在與模擬信號(hào)一起使用尤其重要良好的印刷電路板設(shè)計(jì)實(shí)踐，確保穩(wěn)定和無故障運(yùn)行

表2.電纜補(bǔ)償變化系數(shù)與設(shè)備和旁路引腳電容值電源的。推薦的電路板見圖6連接開關(guān)II的布局。

當(dāng)設(shè)計(jì)一個(gè)基于LinkSwitch II的印刷電路板時(shí)電源，必須遵循以下準(zhǔn)則：單點(diǎn)接地在的負(fù)極端子上使用單點(diǎn)（開爾文）連接LinkSwitch II電源引腳和偏置的輸入濾波電容器繞組回路。這通過返回喘振來提高喘振能力從偏置繞組直接到輸入濾波電容器的電流。旁路電容器

旁路管腳電容器應(yīng)盡可能靠近源和旁路引腳。

反饋電阻器

將反饋電阻器直接放置在LinkSwitch II設(shè)備。這種耦合使噪音最小化。

熱因素

連接到源引腳的銅區(qū)域提供LinkSwitch II散熱器。一個(gè)很好的估計(jì)是LinkSwitch II將消耗10%的輸出功率。提供足夠的銅面積將源引腳溫度保持在90°C以下。溫度更高僅當(dāng)輸出電流（CC）公差大于±10%時(shí)才允許可以接受。在這種情況下，源引腳的最高溫度低于建議110°C，以提供零件對(duì)零件RDS的余量（開）變化。

二次回路面積

為了使漏感和電磁干擾最小化，回路連接區(qū)域二次繞組、輸出二極管和輸出濾波電容應(yīng)該最小化。此外，應(yīng)提供足夠的銅面積提供在二極管的陽極和陰極端加熱下沉。在安靜的陰極終端處，最好使用更大的面積。較大的陽極面積會(huì)增加高頻輻射電磁干擾。

靜電放電火花隙

沿著隔離屏障放置一個(gè)跡線，形成一個(gè)火花隙。次級(jí)電極上的另一個(gè)電極由輸出返回節(jié)點(diǎn)。火花隙將靜電放電能量從輔助回交流輸入。從交流輸入到火花隙電極應(yīng)與其他痕跡隔開防止不必要的電弧發(fā)生和可能的電路損壞。

排水管夾優(yōu)化

連接開關(guān)II感應(yīng)初級(jí)側(cè)的反饋繞組調(diào)節(jié)輸出。反饋上出現(xiàn)的電壓

圖6.PCB版圖示例顯示使用P封裝的5.1w設(shè)計(jì)

繞組是次級(jí)繞組電壓的反映，而內(nèi)部MOSFET關(guān)閉。因此任何漏感響鈴會(huì)影響輸出調(diào)節(jié)。優(yōu)化排水管夾盡量減少高頻響鈴將給予最佳調(diào)節(jié)。圖7顯示了所需的漏極電壓波形，與圖8由于漏感而產(chǎn)生較大的欠沖感應(yīng)環(huán)。這將降低輸出電壓調(diào)節(jié)性能。為減小此值，請(qǐng)調(diào)整串聯(lián)電阻器的值鉗位二極管。

為提高輕載效率和降低空載輸入功耗。增加偏置電路可以降低空載輸入功率在230伏交流電輸入下，從~200兆瓦降到30兆瓦以下。輕負(fù)載效率也會(huì)提高，這可能會(huì)避免使用肖特基勢壘與PN結(jié)輸出二極管的比較平均效率要求。圖5所示的電源示意圖具有偏置電路合并。二極管D6、C5和R4構(gòu)成偏置電路。作為輸出電壓小于8V，附加變壓器繞組需要，交流堆疊在反饋繞組的頂部。這提供了一個(gè)足夠高的電壓，即使在低電壓下也能為旁路引腳供電空載時(shí)的開關(guān)頻率操作。在圖5中，附加的偏置繞組（從引腳2到引腳1）堆疊在一起在反饋繞組的頂部（針腳4到針腳2）。二極管D6整流器輸出端和C5是濾波電容器。10 uF電容器建議在低開關(guān)頻率下保持偏壓。電容器類型不重要，但額定電壓應(yīng)高于VBIAS的最大值。建議電流進(jìn)入旁路引腳等于IC電源電流（~0.5 mA）最小偏置繞組電壓。旁路引腳電流不應(yīng)在最大偏置繞組電壓下超過3毫安。R4的值是根據(jù)（VBIAS–VBP）/IS2計(jì)算，其中VBIAS（10 V典型值）是C5上的電壓，IS2（0.5 mA典型值）是IC電源電流和VBP（6.0 V典型值）是旁路引腳電壓。參數(shù)是2和VBP是在LinkSwitch II數(shù)據(jù)表的參數(shù)表中提供。二極管D6可以是任何低成本二極管，如FR102、1N4148或BAV19/20/21。

快速設(shè)計(jì)檢查表

與任何電源設(shè)計(jì)一樣，所有LinkSwitch II設(shè)計(jì)都應(yīng)在試驗(yàn)臺(tái)上進(jìn)行驗(yàn)證，以確保部件規(guī)格在最壞情況下不超過。以下最小值強(qiáng)烈建議進(jìn)行一組測試：

1.最大漏極電壓-驗(yàn)證峰值VDS不超過680 V在最高輸入電壓和最大輸出功率下。

2.最大漏電流-在最高環(huán)境溫度下，最大輸入電壓和最大輸出負(fù)載，驗(yàn)證漏極啟動(dòng)時(shí)有無變壓器跡象的電流波形飽和和過多的前沿電流尖峰。連接開關(guān)II前沿沖裁時(shí)間為170納秒，以防止過早開啟循環(huán)終止。

3.熱檢查-在最大輸出功率下，最小和最大輸入電壓和最高環(huán)境溫度；確認(rèn)溫度規(guī)格沒有超過連接開關(guān)II，變壓器，輸出二極管和輸出電容器。零件之間應(yīng)留有足夠的熱裕度數(shù)據(jù)中規(guī)定的LinkSwitch II的RDS（ON）變化。為確保10%CC公差，最大源引腳建議溫度為90℃。

絕對(duì)最大額定值1,5

漏極電壓-0.3 V至700 V

峰值電流：K613 320（480）毫安時(shí)

LNK604/614 400（600）毫安時(shí)

LNK605/615 504（750）毫安時(shí)

LNK606/616 654（980）毫安時(shí)

峰值負(fù)脈沖漏電流 -100 mA2

反饋引腳電壓 -0.3伏至9伏

反饋引腳電流100毫安

旁路引腳電壓 -0.3伏至9伏

旁路引腳電流10毫安

儲(chǔ)存溫度 -65°C至150°C

工作結(jié)溫度 -40°C至150°C

鉛溫度（3）260°C

筆記：

1.參考電源的所有電壓，TA=25°C。

2.持續(xù)時(shí)間不超過2ms。

3.1/16英寸。從箱子里出來5秒鐘。

4.漏極時(shí)允許較高的峰值漏電流電壓同時(shí)小于400V。

5.可采用規(guī)定的最大額定值，一次一個(gè)不會(huì)對(duì)產(chǎn)品造成永久性損壞。長期絕對(duì)最大評(píng)級(jí)風(fēng)險(xiǎn)敞口一段時(shí)間可能會(huì)影響產(chǎn)品的可靠性。

熱阻

熱阻：P或G包裝：（qJA）70°C/W2；60°C/W3（qJC）1 11°C/W

D包裝：（qJA）……………100°C/W2；80°C/W3（qJC）1 30°C/W

筆記：

1.在靠近塑料接口的針腳8（源）上測量。

2.焊接至0.36平方英寸。（232平方毫米)2盎司（610克/平方米)包銅。

3.焊接到1平方英寸。（645平方毫米)2盎司（610克/平方米)包銅。

筆記：

A、 自動(dòng)重啟時(shí)間是由ton×IFB編程的開關(guān)頻率和CC模式下的最小頻率的函數(shù)。

B、 對(duì)限流閾值進(jìn)行補(bǔ)償，以消除限流延時(shí)的影響。因此，輸出電流保持恒定輸入行范圍。

C、 IDSS1是BVDSS的80%和最高工作結(jié)溫度下最壞情況的關(guān)態(tài)泄漏規(guī)范。IDSS2是典型的空載消耗計(jì)算的最壞應(yīng)用條件（校正265伏交流電壓）下的規(guī)范。

D、 當(dāng)占空比超過DCMAX時(shí)，鏈路開關(guān)II以接通時(shí)間延長模式工作。

E、 此參數(shù)由特征化派生。

F、 裝配過程中產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力可能導(dǎo)致該參數(shù)發(fā)生變化。這種轉(zhuǎn)換對(duì)LinkSwitch II的能力沒有影響為了滿足批量生產(chǎn)中CC=±10%和CV=±5%的要求，設(shè)計(jì)遵循AN-44和良好制造規(guī)范中的建議。

G、 開關(guān)頻率在60 kHz和85 kHz之間可編程。

典型性能特征

典型性能特征（續(xù)）

　　安芯科創(chuàng)是一家國內(nèi)芯片代理和國外品牌分銷的綜合服務(wù)商,公司提供芯片ic選型、藍(lán)牙WIFI模組、進(jìn)口芯片替換國產(chǎn)降成本等解決方案,可承接項(xiàng)目開發(fā),以及元器件一站式采購服務(wù),類型有運(yùn)放芯片、電源芯片、MO芯片、藍(lán)牙芯片、MCU芯片、二極管、三極管、電阻、電容、連接器、電感、繼電器、晶振、藍(lán)牙模組、WI模組及各類模組等電子元器件銷售。（關(guān)于元器件價(jià)格請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服黃經(jīng)理：15382911663）

　　代理分銷品牌有：ADI_亞德諾半導(dǎo)體/ALTBRA_阿爾特拉/BARROT_百瑞互聯(lián)/BORN_伯恩半導(dǎo)體/BROADCHIP_廣芯電子/COREBAI_芯佰微/DK_東科半導(dǎo)體/HDSC_華大半導(dǎo)體/holychip_芯圣/HUATECH_華泰/INFINEON_英飛凌/INTEL_英特爾/ISSI/LATTICE_萊迪思/maplesemi_美浦森/MICROCHIP_微芯/MS_瑞盟/NATION_國民技術(shù)/NEXPERIA_安世半導(dǎo)體/NXP_恩智浦/Panasonic_松下電器/RENESAS_瑞莎/SAMSUNG_三星/ST_意法半導(dǎo)體/TD_TECHCODE美國泰德半導(dǎo)體/TI_德州儀器/VISHAY_威世/XILINX_賽靈思/芯唐微電子等等

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