特征
•4通道保護低側驅動器
–四個帶過流保護的N溝道MOSFET
–集成電感鉗位二極管
–串行接口
•DW封裝:1.5-A(單通道開啟)/800毫安(四通道開啟)每個通道的最大驅動電流(25°C時)
•PWP封裝:2-A(單通道開啟)/1-A(四通道開啟)每個通道的最大驅動電流(25°C,適當的PCB散熱)
•8.2-V至60-V工作電源電壓范圍
•熱增強表面貼裝組件
應用
•繼電器驅動器
•單極步進電機驅動器
•電磁閥驅動器
•一般低壓側開關應用
說明
DRV8804提供了一個帶過電流保護的4通道低壓側驅動器。它有內置二極管來鉗制感應負載產生的關斷瞬態,可以用來驅動單極步進電機、直流電機、繼電器、螺線管或其他負載。
在SOIC(DW)封裝中,DRV8804可在25°C下為每個通道提供高達1.5-A(一個通道打開)或800毫安(所有通道打開)的連續輸出電流。在HTSSOP(PWP)封裝中,它可以在25°C的溫度下為每個通道提供高達2-A(一個通道打開)或1-A(四個通道打開)的連續輸出電流,且PCB適當散熱。
本發明提供一種串行接口,包括串行數據輸出,該串行接口可以菊花鏈以控制具有一個串行接口的多個設備。
提供過電流保護、短路保護、欠壓鎖定和過熱的內部關機功能,故障由故障輸出引腳指示。
DRV8804有20引腳、熱增強型SOIC封裝和16引腳HTSSOP封裝(環保型:RoHS&no Sb/Br)。
設備信息

(1)、有關所有可用的軟件包,請參閱數據表末尾的訂購附錄。
簡化示意圖

典型特征

詳細說明
概述
DRV8804是一個集成的4通道低端驅動器解決方案,適用于低端交換機應用。串行接口控制低端驅動器輸出,允許多個驅動器鏈接在一起,節省通信線路的空間。四個低側驅動器輸出包括四個N通道MOSFET,其典型的RDS(on)為500 mΩ。一個單獨的電機電源輸入VM用作設備電源,并在內部進行調節,為低壓側柵極驅動器供電。通過使nENBL引腳邏輯高電平,可以禁用設備輸出。該裝置有幾個安全功能,包括集成過電流保護,將電機電流限制在固定的最大值,超過該值設備將關閉。熱關機保護使設備能夠在模具溫度超過TTSD限制時自動關機,并在模具達到安全溫度后重新啟動。如果VM低于欠壓鎖定閾值,UVLO保護將禁用設備中的所有電路。
功能框圖

特性描述
輸出驅動器
DRV8804包含四個受保護的低端驅動器。每個輸出端都有一個集成的箝位二極管,連接到一個公共引腳VCLAMP。
VCLAMP可以連接到主電源電壓VM。它也可以連接到齊納或TVS二極管到VM,允許開關電壓超過主電源電壓VM。當驅動需要快速電流衰減的負載時,這種連接是有益的,例如單極步進電機。
在所有情況下,輸出電壓不得超過最大輸出電壓規格。
串行接口操作
DRV8804由一個簡單的串行接口控制。邏輯上,界面如圖6所示。

使用SDATIN引腳將數據轉移到部件中的臨時保持移位寄存器中,在SCLK引腳的每個上升沿上一位。數據同時移出SDATOUT引腳,允許多個設備菊花鏈連接到一個串行端口上。請注意,SDATOUT引腳有一個推挽驅動器,它可以支持驅動另一個DRV8804 SDATIN引腳,時鐘頻率高達1兆赫,而無需外部上拉。可在SDATOUT和外部5 V邏輯電源之間使用上拉電阻器,以支持更高的時鐘頻率。TI建議電阻值大于1 kΩ。SDATOUT引腳可提供大約1毫安電源和5毫安匯。要向低壓微控制器提供邏輯信號,請使用從SDATOUT到GND的電阻分壓器。
閂鎖引腳上的上升沿將數據從臨時移位寄存器鎖存到輸出級。
啟動和復位操作
nENBL引腳啟用或禁用輸出驅動器。nENBL必須較低才能啟用輸出。nENBL不影響串行接口邏輯的操作。注意,nENBL有一個內部下拉列表。
當驅動高電平時,復位引腳復位內部邏輯,包括OCP故障。清除所有串行接口寄存器。注意RESET有一個內部下拉菜單。還提供了內部加電復位,因此不需要在通電時驅動復位。
保護電路
DRV8804具有充分的保護功能,可防止欠壓、過電流和過熱事件。
過流保護(OCP)
每個FET上的模擬電流限制電路通過移除柵極驅動來限制通過FET的電流。如果該模擬電流限值持續時間超過tOCP除泥時間(約3.5μs),驅動器將被禁用,nFAULT引腳將被驅動至低電平。駕駛員將在重試時間(約1.2毫秒)內保持禁用狀態,然后故障將自動清除。如果激活重置引腳或移除VM并重新應用,故障將立即清除。
熱關機(TSD)
如果模具溫度超過安全限值,所有輸出FET將被禁用,并且nFAULT引腳將被驅動低。一旦模具溫度降至安全水平,操作將自動恢復。
欠壓鎖定(UVLO)
如果在任何時候VM引腳上的電壓低于欠壓鎖定(UVLO)閾值電壓,設備中的所有電路將被禁用,內部邏輯將被重置。當VM高于UVLO閾值時,操作將恢復。
設備功能模式
當DR8804引腳的漏極邏輯被拉低時,V8804的輸出被激活。使設備在邏輯低時被啟用允許在高噪聲環境中使用長數據線,該環境不會無意中使設備具有耦合噪聲。無論nENBL引腳的狀態如何,設備仍將通過SDATIN/SDATOUT線和SCLK線傳輸數據。
一旦數據被移動到四個移位寄存器行中的每一個,閂鎖引腳就可以被拉高以輸出四個移位寄存器的狀態。一旦鎖存器被拉高,四個移位寄存器的狀態被置于邏輯“與”狀態,與nENBL引腳的狀態相反。如果nENBL引腳為邏輯低輸入,而閂鎖引腳為邏輯高電平,則該驅動器通道的開路漏極輸出將接通。
如果設備檢測到VM已降至UVLO閾值以下,它將立即進入禁用所有內部邏輯的狀態。設備將一直處于禁用狀態,直到VM上升到UVLO閾值以上,然后所有內部邏輯被重置。在過電流保護(OCP)事件期間,設備在一個tRETRY間隔內移除柵極驅動,并且nFAULT引腳驅動低。如果激活重置或移除VM并重新應用,則故障將立即清除。
應用與實施
注意
以下應用章節中的信息不是TI組件規范的一部分,TI不保證其準確性或完整性。TI的客戶負責確定組件的適用性。客戶應驗證和測試其設計實現,以確認系統功能。
申請信息
DRV8804可用于驅動單極步進電機。
典型應用

設計要求
表1列出了該設計示例的設計參數。

詳細設計程序
電機電壓
使用的電機電壓取決于所選電機的額定值和所需的轉矩。更高的電壓縮短了步進電機線圈中的電流上升時間,允許電機產生更大的平均轉矩。使用更高的電壓也可以使電機以比較低電壓更快的速度運行。
驅動電流
電流路徑從電源VM開始,經過感應繞組負載和低側NMOS功率FET。單溝NMOS功率FET的功耗損耗如式1所示。

在標準FR-4 PCB上,DRV8804已被測量為1.5-A單通道或800毫安四通道(DW封裝)和2-A單通道或1-A四通道(PWP封裝)。最大均方根電流將根據PCB設計和環境溫度而變化。。
應用曲線

電源建議
本體電容
具有合適的局部體積電容是電機驅動系統設計的一個重要因素。一般來說,有更多的體積電容是有益的,但缺點是成本和物理尺寸增加。
所需的本地電容量取決于多種因素,包括:
•電機系統所需的最高電流。
•電源的電容和提供電流的能力。
•電源和電機系統之間的寄生電感量。
•可接受的電壓紋波。
•使用的電機類型(有刷直流、無刷直流、步進電機)。
•使用的電機類型(有刷直流、無刷直流、步進電機)。
電源和電機驅動系統之間的電感會限制電源電流的變化率。如果局部大容量電容太小,系統將對過大的電流需求作出響應,或者隨著電壓的變化而從電機中卸載。當使用足夠的大容量電容時,電機電壓保持穩定,并能快速提供大電流。
數據表通常提供建議值,但需要進行系統級測試以確定適當尺寸的大容量電容器。

大容量電容器的額定電壓應高于工作電壓,以便在電機向電源傳輸能量時提供裕度。
布局
布局指南
大容量電容器的額定電壓應高于工作電壓,以便在電機向電源傳輸能量時提供裕度。
•小值電容器應為陶瓷,并靠近器件引腳放置。
•高電流設備輸出應使用寬金屬跡線。
設備熱墊應焊接到PCB頂層接地板上。應使用多個通孔連接到大型底層地平面。多個平面上產生的熱量是由多個金屬片產生的。
布局示例

熱注意事項
DRV8804具有熱關機(TSD)中所述的熱關機(TSD)。如果模具溫度超過約150°C,設備將被禁用,直到溫度降至安全水平。
設備進入TSD的任何趨勢都表明功率消耗過大、散熱不足或環境溫度過高。
功耗
DRV8804的功耗主要由輸出場效應管電阻(RDS(ON))消耗的功率控制。當運行一個靜態負載時,每個場效應管的平均功耗可以用方程式2粗略估計。

其中:
•P是一個FET的功耗
•RDS(ON)是每個FET的電阻
•IOUT等于負載所消耗的平均電流
注意,在啟動和故障條件下,該電流遠高于正常運行電流;還必須考慮這些峰值電流及其持續時間。當同時驅動多個負載時,所有有效輸出級的功率必須相加。
裝置中可消耗的最大功率取決于環境溫度和散熱量。
注意RDS(ON)隨著溫度的升高而增加,因此當設備加熱時,功耗也會增加。在確定散熱器尺寸時,必須考慮到這一點。
散熱
DRV8804DW封裝采用標準SOIC外形,但中心引腳內部熔合在芯片墊上,以更有效地去除設備中的熱量。封裝每側的兩個中心引線應連接在一起,以盡可能大的銅面積,以消除設備的熱量。如果銅區在PCB的另一側,熱通孔用于在頂層和底層之間傳遞熱量。
一般來說,提供的銅面積越多,消耗的功率就越大。
DRV8804PWP包使用帶有暴露的PowerPAD的HTSSOP包™. PowerPAD包使用暴露的焊盤來去除設備中的熱量。為了正確操作,該焊盤必須與PCB上的銅熱連接以散熱。在具有接地板的多層PCB上,這可以通過添加多個通孔來實現,以將熱墊連接到地平面。在沒有內部平面的PCB上,可以在PCB的任一側添加銅區域來散熱。如果銅區在PCB的另一側,熱通孔用于在頂層和底層之間傳遞熱量。
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