一般說明

LM2612降壓型DC-DC變換器是為單鋰離子為超低壓電路供電手機。它提供高達400毫安（B級為300毫安），超過輸入電壓范圍為2.8V至5.5V。引腳可編程輸出電壓為1.05V、1.3V、1.5V或1.8V，允許調整對于MPU電壓選項，無需重新設計或外部反饋電阻。該設備有三個引腳可選擇的模式，以最大限度地移動電話和類似便攜式應用的電池壽命。低噪聲PWM模式提供600kHz固定頻率減少射頻干擾和數據采集的操作滿功率運行期間的應用。在PWM模式下，內部同步整流提供了高效率（91%典型值。1.8伏）。同步輸入允許同步開關頻率在500kHz到1MHz的范圍內避免與系統頻率互調產生噪聲。低電流滯回PFM模式降低靜態電流在系統待機期間為150μA（典型值）。關機模式關閉設備并將電池消耗降低到0.1μA（典型值）。附加功能包括軟啟動和電流過載保護。LM2612提供10針微型貼片封裝。這個封裝采用國家級晶圓級芯片級微型貼片技術和提供盡可能小的尺寸。只有三個小型外表面貼裝元件、電感器和需要兩個陶瓷電容器。

主要規格

通過單個鋰離子電池（2.8V至5.5V）工作

引腳可編程輸出電壓（1.05V、1.3V、1.5V和1.8伏）

400毫安最大負載能力（B級為300毫安）

±2%PWM模式直流輸出電壓精度

2mV典型PWM模式輸出電壓紋波

150μA典型PFM模式靜態電流

0.1μA典型關機模式電流

高PWM模式的n內部同步整流

效率（2.8VIN，1.8VOUT時91%）n 600kHz PWM模式開關頻率用于PWM模式頻率同步的n同步輸入從500kHz到1MHz

特征

超微型10針微型貼片封裝

只有三個微小的表面貼裝外部組件必修的

使用小型陶瓷電容器。

內部軟啟動

電流過載保護

無需外部補償

應用

移動電話

手持收音機

電池供電設備

絕對最大額定值（注1）

PVIN，VDD，至SGND−0.2V至+6V

PGND至SGND−0.2V至+0.2V

EN，同步/模式，VID0，VID1到SGND−0.2V至+6V

FB、SW（GND−0.2V）至（VDD+0.2V）

儲存溫度范圍−45˚C至+150˚C

引線溫度（焊接，10秒）260˚C

結溫（注2）−25˚C至125˚C

最小ESD額定值

人體模型，C=100pF，R=1.5千歐±2.5千伏

熱阻（θJA）

LM2612ABP和LM2612BBP（注3）170˚C/W

電氣特性

標準字體規格適用于TA=TJ=25˚C，粗體字規范適用于整個工作溫度范圍（TA=TJ=−25˚C至+85˚C）。除非另有規定，否則PVIN=VDD=EN=SYNC=3.6V，VID0=VID1=0伏。

電氣特性（續）

標準字體規格適用于TA=TJ=25˚C，粗體字規范適用于整個運行溫度

注1：絕對最大額定值表示設備可能發生損壞的極限值。操作額定值是設備預期的工作條件功能正常，但參數規格可能無法保證。有關保證規格和相關測試條件，請參閱最小和最大限值和電氣特性表中的條件。電氣特性表限值由生產測試、設計或使用標準的相關性保證統計質量控制方法。典型（典型）規范是指在25℃時的平均值或平均值，不作保證。

注2：在PWM模式下，如果結溫超過裝置最高結溫150˚C，將發生熱關機。

注3：2層PCB（0.5/0.5 oz.cu）規定的熱阻。

注4：3層PCB（2/1/1 oz.cu）和12個直徑為0.33mm的通孔規定的熱阻（見應用注釋AN-1187）。

注5:LM2612專為手機應用而設計，通電后開機由系統處理器和內部UVLO（欠電壓）控制鎖定）電路是不必要的。LM2612沒有UVLO電路，應該通過保持EN引腳低，直到輸入電壓超過2.8V來保持關機狀態。盡管在低輸入電壓下，LM2612在預生產評估期間表現出安全行為，但這不能保證。

注6：反饋電壓在1.5V輸出設置處被調整。其他輸出電壓來自內部DAC的分頻比的引腳選擇。這個反饋電壓的精度為±2%，但1.05V設置為5%。聯系國家半導體公司的便攜式電源應用小組，如果需要其他電壓微調。

注7：磁滯電壓是FB上的最小電壓擺幅，它導致內部反饋和控制電路打開內部PFET開關，并且然后關閉，在PFM模式下。

注8：電流限制是內置的，固定的，不可調。如果在輸出電壓低于約0.7V時達到電流限制，則內部PFET開關轉動關斷2.5μs以允許電感器電流減小。

注9:EN是一個CMOS施密特觸發器數字輸入，邏輯閾值隨VDD引腳的電源電壓而變化。標稱邏輯閾值為高閾值和低閾值分別約為0.71VDD和0.55VDD。

注10：同步驅動，外部時鐘在VIN和GND之間切換。當外部時鐘處于同步狀態時，IC將在外部時鐘頻率。LM2612與外部時鐘的上升沿同步。

典型工作特性

LM2612ABP，圖1電路，VIN=3.6V，TA=25˚C，L1=10μH，除非另有說明。

典型工作特性LM2612ABP，圖1電路，VIN=3.6V，TA=25˚C，L1=10μH，除非另有說明。（續）

設備信息

LM2612是一種簡單的降壓型DC-DC轉換器，用于為單元中的低壓CPU或DSP供電手機和其他小型電池供電設備。它提供1.05V、1.3V、1.5V或單個2.8V至5.5V鋰離子電池的1.8V電壓。它是最大負載能力為400毫安（300毫安B級）。該裝置有三個引腳可選擇操作手機和其他復雜便攜式設備所需的模式設備。這類應用程序通常只花費他們的時間在全速運轉。在滿功率運行期間，同步或固定頻率的PWM模式提供完全的輸出電流能力，同時盡量減少對敏感中頻和數據采集電路的干擾。PWM模式使用同步整流以提高效率：通常91%用于100mA負載，1.8V輸出，2.8V輸入。這些應用程序剩下的時間用在低電流待機狀態運行或關機以節省電池電量。期間待機運行，滯后PFM模式減少靜態電流為150μA（典型值），最大限度延長電池壽命。關閉模式關閉設備并減少電池消耗至0.1μA（典型值）。LM2612具有良好的性能和全套特性。它是基于電流模式開關buck循環限流結構。直流脈寬調制對于大多數輸出電壓，模式輸出電壓精度為±2%，對于1.05V，精度為±3%。同步/模式輸入接受外部時鐘在500kHz和1MHz之間。輸出電壓選擇引腳消除了外部反饋電阻。附加功能包括軟啟動、電流過載保護、過電壓保護和熱過載保護。LM2612采用芯片規模的10針微型芯片構成SMD封裝。微型SMD封裝提供最小的空間關鍵型應用的可能大小，如單元電話。所需的外部組件只有一小部分10uH電感器，10uF和22uF陶瓷電容器減少電路板面積。

電路操作

參考圖1、圖2和圖3 LM2612操作如下：在每次切換的第一部分循環，LM2612中的控制塊打開內部PFET開關。這允許電流從輸入端流出通過電感器輸出濾波電容和負載。電感器將電流限制在斜率為（VIN）的斜坡上-VOUT）/L，通過在磁場中儲存能量。在在每個循環的第二部分，控制器轉動PFET切斷電源，阻斷輸入電流，然后打開NFET同步整流器。作為回應電感器的磁場崩潰，產生一個電壓強制電流從地面通過同步整流器輸出濾波電容和負載。因為儲存的能量傳回電路并耗盡電感器電流以VOUT/L的斜率下降。如果電感器電流在下一個周期前達到零，同步關閉整流器以防止電流倒流。輸出當電感電流為高，低時釋放，使電壓平滑負荷。輸出電壓通過調節PFET來調節接通時間以控制發送到裝載。其效果與將開關和同步整流器形成的占空比調制矩形波發送到由電感和輸出濾波電容器。輸出電壓等于SW引腳處的平均電壓。

PWM操作

LM2612可通過以下方式設置為電流模式PWM操作將同步/模式引腳連接到VDD。PWM時（脈沖寬度調制）模式，通過以恒定頻率切換來調節輸出電壓，然后調整每個周期的能量，以控制負載的功率。通過調節PFET開關來設置每個循環的能量導通時間脈沖寬度控制電感電流峰值。這個通過使用觸發器驅動的PFET開關來實現通過振蕩器和比較器來比較斜坡來自電流檢測放大器，錯誤信號來自電壓反饋誤差放大器。在每個開頭周期，振蕩器設置觸發器并打開PFET開關，導致電感器電流上升。當電流感應信號通過誤差放大器信號，PWM比較器重置觸發器并關閉PFET開關，結束循環的第一部分。NFET同步整流器開啟，直到下一個時鐘脈沖或電流上升到零。如果拉低輸出電壓，誤差放大器輸出增加，使感應器電流上升在比較器關閉PFET開關之前。這會增加發送到輸出端的平均電流并進行調整因為負荷的增加。在進入PWM比較器之前，電流感應信號用斜率補償斜坡求和電流反饋回路穩定振蕩器。在循環的第二部分，過零檢測器關閉NFET同步整流器如果電感電流斜坡歸零。

A： 電感器電流，500mA/div

B： 開關引腳，2V/div

C： VOUT，10mV/div，交流耦合

A： 電感器電流，500mA/div

B： 開關引腳，2V/div

C： VOUT，50mV/div，交流耦合

PFM操作

將同步/模式引腳連接到SGND設置LM2612滯后的PFM操作。而在PFM中（脈沖頻率調制）模式下，輸出電壓通過開關調節，每個周期的離散能量，然后調節控制負載功率的循環率或頻率。這是通過使用誤差比較器來檢測輸出電壓和控制PFET開關。設備將作為負載放電輸出濾波器電容，直到輸出電壓降到PFM誤差比較器的下限以下。然后通過一個循環來比較打開PFET開關。這使得電流從輸入端，通過電感器到輸出端，充電輸出濾波電容器。當輸出電壓高于PFM誤差比較器。PFET開關關閉后輸出電壓隨著電感器的轉移而升高將電流輸入輸出電容器輸出控制器。因此，PFM的輸出電壓紋波模式與誤差比較器和感應器電流的滯后成正比。在PFM模式下，設備只根據需要進行切換負荷。這通過降低功率來降低電流消耗在電路中的開關動作期間消耗內部MOSFET中的過渡損耗、柵極驅動電流、電感中的渦流損耗等，也證明了輕負載電壓調節。在第二部分在循環中，NFET同步整流器的本征體二極管導通，直到電感電流上升到零。LM2612不開啟同步整流器在PFM模式下。

工作模式選擇

（同步/模式引腳）同步/模式數字輸入引腳用于選擇PWM或PFM工作模式。設置同步/模式高（高于1.3V）用于600kHz PWM操作，當系統有功，負載大于50mA。設置同步/模式低（0.4V以下）當負載小于50mA，用于精確調節和降低系統運行時的電流消耗待命LM2612有一個

過電壓保護功能，在低負載條件下（<50mA）下，如果設備保持在PWM模式，則可能激活該功能以防止輸出電壓過高。有關更多信息，請參閱電壓保護。使用同步/模式引腳選擇模式轉換速率大于5V/100μs。使用比較器Schmitt驅動同步/模式引腳的觸發器或邏輯門。不要保持引腳浮動，允許其在邏輯電平之間徘徊。這些措施將防止輸出電壓錯誤否則，響應于不確定的邏輯狀態而發生。當頻繁切換模式時，確保最小負載以保持輸出電壓的調節。最小負荷要求根據模式變化頻率而變化。當模式為每100毫秒更換一次，85微安10毫秒，800微安1毫秒。

頻率同步

（同步/模式引腳）同步/模式輸入也可用于頻率同步。將LM2612與外部時鐘，使用同步電壓上升至12.2V時，啟動電壓超過1V時鐘。當與外部時鐘同步時，它在PWM模式。設備可以同步到50%頻率從500kHz到1MHz的占空比時鐘。當將外部時鐘應用到同步/模式引腳。每個時鐘周期的高低周期應在1.3μs之間和200ns，占空比在30%和70%之間。這個總時鐘周期應小于等于2μs。打卡/過沖應小于100毫伏低于地面或以上賣方盡職調查。當應用嘈雜的時鐘信號時，尤其是尖銳的評估期間，長電纜發出的邊緣信號，終止在其特性阻抗下的電纜；在同步引腳，如有必要，軟化轉換率和過沖/欠沖。注意脈沖發出的尖銳的信號或者函數發生器可以產生高的欠/過沖在端接不當的電纜末端為10V。使用具有轉換速率的信號驅動同步/模式引腳速度超過5V/100μs。使用比較器施密特觸發器或驅動同步/模式引腳的邏輯門。別動別針浮動的允許它在邏輯電平之間徘徊。這些這些措施將防止輸出電壓誤差，這些誤差可能在不確定的邏輯狀態下發生。

過電壓保護

LM2612有一個過電壓比較器，可以防止當設備離開時，輸出電壓過高低負載條件下的PWM模式。否則輸出電壓可能會從最小值上升到超出調節范圍由于最小200ns，每個循環的能量轉移在PWM模式下PFET開關的接通時間。當輸出電壓超過其調節閾值30毫伏，OVP比較器抑制PWM操作以跳過脈沖直到輸出電壓回到調節閾值。在過電壓保護，輸出電壓和紋波增加輕微地。

關機模式

將EN數字輸入引腳設置為低至SGND將LM2612處于0.1uA（典型）停機模式。停機期間，PFET開關，NFET同步整流器，基準，關閉LM2612的控制和偏置。設置EN高至VDD允許正常操作。打開時，軟啟動被激活。EN是CMOS施密特觸發器數字輸入閾值隨VDD輸入電壓的變化而變化。這個標稱邏輯閾值約為71d高閾值和低閾值分別為0.55VDD。驅動器EN使用CMOS邏輯參考LM2612的VDD引腳。必須將EN設置為低，以便在通電期間關閉LM2612當電源小于2.8V最小工作電壓。設計了LM2612適用于移動電話和類似應用順序由系統控制器決定，不需要內部UVLO（欠壓鎖定）電路。LM2612沒有UVLO電路。雖然LM2612在生產前表現出安全行為評估在低輸入電壓下啟用時。

內部同步整流

在PWM模式下，LM2612使用內部NFET作為一種同步整流器，通過降低整流器正向電壓降和相關功率損失。在一般來說，當輸出電壓相對較低時，同步整流可顯著提高效率整流二極管。在中、重負載下，內部NFET同步整流器在電感電流期間開啟在每個周期的第二部分下坡。同步整流器在下一個循環之前關閉，或者輕載時電感器電流接近零。NFET是設計用于在開啟前的短暫間隔，無需外部二極管。同步整流被禁用，并且在每一次整流的第二部分中，NFET con通過它的體二極管在PFM模式下循環，以減少與同步整流器控制電路相關的靜態電流。這個同步整流器也可以在PWM模式下保持關閉當高輸入輸出電壓導致占空比較短時當沒有足夠的時間同步整流器啟動。的主體二極管NFET也可在這些條件下使用。要提高PFM或短占空比PWM條件下的效率，請將從PGND到SW的外部肖特基二極管。聯系國家半導體公司的便攜式電力應用小組，如果對同步整流裝置感興趣PFM模式。

限流

電流限制功能允許LM2612保護自己和過載條件下的外部部件。當前使用一個獨立的內部通訊器來實現限制，最大跳閘電流為850mA（B級設備為980mA）。在PWM模式下，循環電流限制不常用。如果過大的負載拉大了輸出電壓降到大約0.7V，然后設備切換到定時限流模式。在定時限流模式下電流比較器跳閘后，內部P-FET開關關閉，下一個循環的開始被禁止2.5μs以強制瞬時電感器電流斜坡降低到安全值。PFM模式也使用定時電流限制操作。同步整流器在定時電流限制模式下關閉。定時電流限制防止在嚴重過載的情況下，當輸出電壓被拉低時，在一些產品中可以看到電流控制。

限流和PWM模式

瞬態響應

考慮事項

LM2612是專為對中度的快速反應而設計的加載步驟。上述負載期間的惡劣瞬態條件300mA會導致電感器電流上升到850mA電流限制，導致PWM模式抖動或電流限制比較器激活時不穩定。避免這種抖動或不穩定，請不要上電或啟動LM2612滿載（負載接近或高于400毫安）。不要改變滿負荷運行時的工作模式或輸出電壓裝載。避免極為尖銳和寬范圍的裝載步驟滿載，例如從<30mA到>350mA。

引腳可選輸出電壓

LM2612具有引腳可選擇的輸出電壓，以消除外部反饋電阻的需要。輸出通過配置，可以設置為1.05V、1.3V、1.5V或1.8VVID0和VID1引腳。請參閱中的設置輸出電壓申請信息部分了解更多詳細信息。

軟啟動

LM2612具有軟啟動功能，可在通電并啟動。這減少了LM2612的壓力以及外部組件。它還可以減少啟動瞬態在電源上。

軟啟動（續）

軟啟動是通過增加LM2612中的內部參考來逐步增加輸出電壓來實現的。通電時，參考值在約400μs內上升在PWM模式下，軟啟動可能需要額外的200us為誤差放大器補償網絡留出時間充電。

熱過載保護

LM2612具有熱過載保護功能保護自身免受短期誤用和過載情況的影響。當結溫超過大約155℃時，設備啟動軟啟動循環，即在溫度降到130℃以下后完成。在熱過載條件下長時間運行可能會損壞設備，被認為是不好的做法。

申請信息

設置輸出電壓

LM2612具有引腳可選擇的輸出電壓，以消除外部反饋電阻的需要。選擇通過配置，輸出電壓為1.05V、1.3V、1.5V或1.8VVID0和VID1引腳，如表1所示。

VID0和VID1是數字輸入。他們可能會因為通過連接到SGND連接到VDD或low?？蛇x的是，VID0和VID1可以由數字門驅動高電壓狀態下提供超過1.2V的電壓，低于0.4V的電壓低狀態以確保有效的邏輯電平。VID0和VID1每個輸入都有一個內部的1.8μA下拉菜單，用于拉動它們斷開時，默認1.5V輸出為低。將這些銷打開是可以接受的，但將銷設置為高或建議低。

感應器選擇

飽和電流額定值超過850mA的10μH電感器（B級為980mA）建議用于大多數應用。電感器的電阻應始終小于0.3Ω效率。表2列出了建議的電感器和供應商。

建議。對于噪聲臨界應用，環形或應使用屏蔽線軸感應器。一個好的做法是用兩種類型的重疊腳印來布置電路板設計靈活性。這樣就可以替代低噪音環形電感器，萬一噪音來自低成本線軸模型是不可接受的。飽和電流額定值是電流水平超過電感器釋放的是電感。超過這個等級，電感器失去了限制電流通過PFET切換到斜坡并允許開關電流迅速增加。這會導致效率低下，監管不力錯誤或應力到DC-DC轉換器，如LM2612。當電流產生的磁通量密度通過電感器的繞組，超過了在一個相應的磁場。

電容器選擇

使用10μF、6.3V、X7R或X5R陶瓷輸入濾波器電容器以及22uF、X7R或X5R陶瓷輸出濾波電容器。在小尺寸、成本和，可靠性和性能。不要使用Y5V陶瓷電容器。表3推薦的電容器和供應商清單。輸出濾波器可使用10μF陶瓷電容器電容器適用于最壞情況下瞬態負載階躍小于200mA。使用10μF輸出電容器以更小的尺寸換取增加在輸出電壓紋波，和下沖在線路和負載瞬態響應。輸入濾波電容器向PFET開關提供電流在每個循環的第一部分中施加在輸入電源上的電壓紋波。輸出濾波電容器平滑了從電感到負載的電流，有助于保持穩定的輸出電壓瞬態負載變化并降低輸出電壓紋波。這些電容器必須具有足夠的容量和足夠低的ESR來執行這些功能。濾波器電容器的ESR或等效串聯電阻是電壓紋波的主要因素。來自對于大多數電解液，ESR對電壓紋波的影響在75-95%左右電容器，陶瓷電容器則更少。這個紋波的剩余部分來自電荷儲存，這是由于電容。

二極管選擇

可選的肖特基二極管（圖1中的D1）可以添加到提高PFM模式和輕載PWM模式下的效率。在提高電池使用壽命的效率比增加與肖特基二極管。通常，使用外部肖特基二極管將PFM模式效率從72.7%提高到85.0%（20毫安負載，VOUT=1.8V，VIN=3.6V）。見效率曲線在典型的操作特性中。使用額定電流高于850mA，如MBRM140T3。使用額定值為30V或更高電壓可減少高溫應用中的二極管反向泄漏。

熱設計

LM2612具有熱過載保護功能當結溫超過在155°C左右，直到設備冷卻到130°C。但是，持續這么熱地運行設備可能會損壞它糟糕的練習。應進行充分的熱設計將設備保持在規定的125°C最高工作溫度以下。微貼片封裝組裝與使用使用微貼片封裝需要專用板布局、精確安裝和小心回流焊技術，如詳見《國家半導體應用說明》安-1112。請參閱“表面安裝技術”一節（SMT）裝配注意事項。為了獲得最佳裝配效果，應使用PC板上的對齊序號方便放置設備。由于微貼片封裝是一項新技術，所有的布局和組裝手段必須在生產前進行徹底測試。特別地，正確放置，焊料回流和耐熱性必須驗證循環。用于LM2612的10凸塊封裝有170微米需要6.7mil（6.7/1000 in.）焊盤安裝在電路板上。每個墊子的痕跡應該以90˚的進入角度進入襯墊，以防止碎屑陷入深淵。最初，跟蹤到每個焊盤寬度應為6 mil，對于長度為6 mil或更長的部分，如熱釋壓。那么每個軌跡都應該達到最佳狀態寬度超過11密耳或更大，使錐度超出包的邊緣。重要的標準是對稱性。這樣可以確保LM2612回流均勻，設備焊料水平尤其要特別注意緩沖墊6-9。因為PVIN和PGND通常連接到大型銅板上，散熱不足可能導致這些凸點的回流延遲或不足。與micro SMD封裝一起使用的焊盤樣式必須是NSMD（非焊接掩模定義）類型。這意味著焊錫掩模開口大于焊盤尺寸或9.7mils對于LM2612。這可以防止唇部形成，如果焊接掩模和焊盤重疊。這個嘴唇可以容納設備脫離電路板表面并干擾安裝。具體說明見應用注釋AN-1112。微貼片封裝是針對最小的可能尺寸而優化的，適用于具有紅色或紅外線不透明外殼的應用。由于微貼片封裝缺乏大型器件的塑料封裝特性，因此容易受到光照。背面金屬化和/或環氧涂層，以及正面陰影由印刷電路板，減少這一點敏感。但是，包裝有暴露的模具邊緣。在特別是，微型貼片器件對紅色光敏感紅外線射程照射在包裹的暴露的模具上邊緣。

申請信息（續）

在使用LM2612時，不要使用或通電高強度紅光或紅外光，否則會導致性能下降、無法預測或不穩定的操作。光的例子具有高紅色或紅外線含量的光源包括太陽和鹵素燈。將電路封裝在不透明的紅色外殼中或者紅外線。

電路板布局注意事項

PC板布局是DC-DC變換器的重要組成部分設計。糟糕的電路板布局會破壞DC-DC轉換器及其周圍電路EMI、接地彈跳和軌跡中的電阻電壓損失。這些會向DC-DC轉換器發送錯誤信號IC，導致調節不良或不穩定。布局不良也會導致回流焊問題，導致焊點不良在微型SMD封裝和板墊之間?？蓱z的焊點可能導致性能不穩定或性能下降。LM2612的良好布局可以通過遵循一些簡單的設計規則來實現：

1將LM2612放在6.7毫升的微型貼片包裝上。作為熱釋放，用6mil連接到每個焊盤上寬跡線（micro SMD），6mils長或更長，然后逐步增加每條跡線至其最佳寬度使錐度延伸到包裹。重要的標準是要保證對稱性回流均勻發生（見微型SMD封裝組裝和使用）。

2.將LM2612、電感器和濾波電容器放近把痕跡縮短。之間的痕跡這些元件攜帶相對較高的開關電流，充當天線。遵循此規則可減少輻射噪聲。將電容器和電感器放在LM2612的0.2英寸（5毫米）。

3.排列部件，使開關電流環向同一方向卷曲。在每個周期，電流從輸入濾波器電容器流出，通過LM2612和電感器到輸出濾波器電容器通過接地，形成電流循環。在每個循環的第二部分，電流被拉入從地上，通過電感器的LM2612輸出濾波電容器，然后通過接地，形成第二個電流回路。路由這些環路電流在同一方向卷曲，防止兩個部分循環之間的磁場反轉和減少輻射噪聲。

4.將LM2612的接地引腳和濾波器電容器連接在一起，使用大量的組件側cop  per fill作為一個偽接地平面。然后，把這個連接到帶有多個通孔的地平面（如果使用一個）。這個通過防止開關降低接地層噪音通過接地層的電流。它也減少了地面反彈在LM2612通過給予它低阻抗接地連接。

5.在電源部件和之間使用寬跡線DC-DC轉換器電路的電源連接。這個減少由電阻損耗引起的電壓誤差痕跡。

6.將噪聲敏感的跡線（如電壓反饋路徑）布置在遠離電源之間的噪聲跡線的地方組件。電壓反饋軌跡必須保持不變靠近LM2612電路，應該是直接的，但是應遠離噪聲部件。這個減少輻射到DC-DC轉換器自身的電磁干擾電壓反饋軌跡。

7.放置噪聲敏感電路，如收音機中頻模塊，遠離DC-DC轉換器，CMOS數字塊以及其他嘈雜的電路。干擾可以減少系統中的噪聲敏感電路通過距離。例如，在移動電話中，一個常見的做法是將DC-DC轉換器放在板的一角，在其周圍布置CMOS數字電路（因為這也是

產生噪聲），然后放置敏感前置放大器和如果站在對角的角落。通常敏感電路用金屬盤和電源屏蔽后調節以降低傳導噪聲。

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