特征

•用于主機單元測量的模擬接口

–單元輸入MUX、電平變換器和定標器

–1.5--/3.0-V低漂移，校準基準允許精確的模數轉換

•用于主機電流測量的模擬接口

–可變增益電流檢測放大器，可與1 mΩ感應電阻器一起工作

•用于主機溫度測量的可切換熱敏電阻偏置輸出

•具有動態可調閾值的過電流比較器

–警告主機潛在的過電流故障

–喚醒主機加載連接

•集成電池平衡場效應晶體管

–單獨主機控制

–每單元50毫安平衡電流

•支持細胞感應線路斷線檢測

•集成3.3V調節器，為微控制器或LED供電

•用于主機通信的I2C接口

–可選數據包CRC，用于穩健操作

•電源電壓范圍為4.2至26.4 V•低功耗

–正常模式下為40μA

–睡眠模式下最大1.5μA

•20針TSSOP或24針VQFN封裝

應用

•鋰離子電池組的初級保護

–無繩電動工具

–輕型電動汽車（電動自行車、踏板車等）

–UPS系統

–醫療設備

–便攜式測試設備

說明

bq76925主機控制模擬前端（AFE）是3、4、5或6系列鋰離子電池和鋰聚合物電池的完整電池組監控、平衡和保護系統的一部分。bq76925設備允許主機控制器監測單個電池電壓、電池組電流和溫度。主機可以使用這些信息來確定不安全或故障的操作條件，例如過壓、欠壓、過熱、過電流、電池不平衡、充電狀態和健康狀態。

單元輸入電壓經過電平轉換、多路復用、縮放和輸出，以便由主機ADC測量。專用引腳提供低漂移校準參考電壓，以實現精確測量。

通過外部感測電阻器的電壓被放大并輸出到主機ADC，以進行充電和放電電流測量。兩個增益設置允許在廣泛的組件電流范圍內使用各種感測電阻值進行操作。

為了使主機能夠進行溫度測量，AFE提供了一個單獨的輸出引腳，用于偏置外部熱敏電阻網絡。此輸出可以在主機控制下打開和關閉，以將功耗降至最低。

動態地包括可選擇的BQ765電流監測裝置。比較器結果通過開路漏極輸出驅動，以在超過閾值時警告主機。此功能可用于在連接負載時喚醒主機，或向主機發出潛在故障警報。

bq76925設備集成了完全由主機控制的單元平衡FET。平衡電流由外部電阻器設置，最大值為50 mA。這些相同的fet可與電池電壓測量結合使用，以檢測電池感應線路上的開路線路。

主機通過I2C接口與AFE通信。分組CRC可任選地用于確保可靠的操作。設備可以通過I2C接口進入低電流睡眠模式，并通過拉起警報引腳來喚醒。

設備信息

（1）、有關所有可用的軟件包，請參閱數據表末尾的醫囑內容附錄。

簡化示意圖

典型特征

詳細說明

概述

bq76925主機控制模擬前端（AFE）是3系列至6系列鋰電池的完整電池組監控、平衡和保護系統的一部分。bq76925允許主機控制器輕松地監控單個電池電壓、電池組電流和溫度。當這些參數中的一個或多個超過應用程序的限制時，主機可以使用這些信息來檢測和處理故障情況。此外，主機可以使用這些信息來確定充電結束、放電結束和其他氣體測量和健康狀況。

功能框圖

特性描述

內部LDO調壓器

bq76925設備在V3P3引腳上提供一個可調節的3.3V電源電壓，用于操作設備的內部邏輯和接口電路。該調節器也可用于直接為外部微控制器或其他外部電路供電，最大負載電流為4毫安。在這種配置中，VCTL引腳直接連接到BAT引腳。對于要求大于4毫安的應用，可使用外部旁路晶體管來提供負載電流。在這種配置中，VCTL引腳連接到旁路場效應晶體管的柵極。這兩種配置如圖9所示。

對于圖9b）的配置，應使用高增益旁路裝置以確保穩定性。可使用雙極PNP或p溝道FET旁路裝置。聯系TI獲取建議。

LDO調節器可能被大于V3P3上的調節電壓的外部電源電壓覆蓋（即，反饋）。在這種配置中，bq76925內部邏輯和接口電路通過外部電源工作，內部3.3-V調節器提供空載電流。

ADC接口

bq76925設備被設計成與位于外部主機控制器（如MSP430微控制器或等效設備）中的多通道模數轉換器（ADC）接口。三個輸出為主機提供電壓、電流和溫度信息。此外，bq76925器件還包括一個低漂移校準的1.5/3v參考電壓，輸出到專用引腳上，用作ADC的基準輸入。

bq76925器件的增益和偏移特性在工廠測試時進行了測量，并作為校正因子存儲在非易失性存儲器中。主機讀取這些校正因子并將其應用于ADC轉換結果，以獲得高測量精度。此外，bq76925的精確參考電壓可用于校準主機ADC的增益和偏移。

參考電壓

bq76925設備輸出穩定的參考電壓供主機ADC使用。1.5 V或3 V的標稱電壓通過CONFIG U 2寄存器中的REF帴SEL位選擇。參考電壓在整個溫度范圍內非常穩定，但初始電壓可能會變化±4%。在ADC轉換結果中，與標稱值的偏差表現為增益誤差。為了糾正此錯誤，偏移和增益校正系數在最終測試時確定，并存儲在非易失性寄存器VREF_CAL和VREF_CAL_EXT中。主機讀取校正系數并將其應用于標稱參考電壓，以達到下文所述的實際參考電壓電池電壓監測。增益校正后，基準的公差在±0.1%以內。

主機ADC校準

所有的模數轉換器都有固有的增益和偏移誤差，這些誤差會對測量精度產生不利影響。一些微控制器可以由制造商來描述，并在裝運時附帶存儲在芯片上的ADC增益和偏移信息。最終用戶也可以在PCB組裝之前或作為組裝PCB測試的一部分，對松動的設備進行此類特性描述。

對于沒有提供這種ADC特性或不實用的應用，bq76925設備通過設置單元寄存器中的VCOUT_SEL位來提供主機ADC的現場校準方法，可以選擇0.5×VREF和0.85×VREF的兩種標度版本的參考電壓，用于在VCOUT引腳上輸出由主機ADC測量。測量兩個標度電壓使主機能夠對ADC進行兩點校準，并補償所有后續ADC測量結果中的ADC偏移和增益，如圖10所示。

注意，校準精度將受到標度參考電壓輸出公差的限制，因此使用該方法可能無效。對于這些情況，TI建議使用更高精度的源進行圖10所示的兩點校準。

電池電壓監測

單元電壓監測電路包括輸入電平移位器、多路復用器（MUX）和縮放放大器。這個主機通過設置單元控制寄存器中的VCOUT U SEL和cell U SEL位，選擇一個VCn單元輸入進行測量。比例因子由CONFIG U 2寄存器中的REF廑SEL位設置。所選單元輸入電平移到VSS參考，按標稱增益GVCOUT=0.3（REF_SEL=0）或0.6（REF_SEL=1）進行縮放，并輸出到VCOUT引腳上，以供主機ADC測量。

與參考電壓類似，增益和偏移校正系數在最終測試時為每個單獨的單元輸入確定，并存儲在非易失性寄存器VCn_CAL（n=1-6）和VC_CAL_EXT_m（m=1-2）。這些因子由主機讀取，并應用于ADC電壓測量結果，以獲得指定的精度。

單元電壓偏移和增益校正因子以2的補碼格式存儲為5位有符號整數。最高有效位（VCn_OC_4，VCn_GC_4）分開存儲，必須與最低有效位（VCn_OFFSET_CORR，VCn_GAIN_CORR）串聯。

參考電壓偏移和增益校正因子分別以2的補碼格式存儲為6位和5位有符號整數。與單元電壓校正因子一樣，最高有效位（VREF_OC_5、VREF_OC_4、VREF_GC_4）分開存儲，并且必須與最低有效位（VREF_OFFSET_CORR、VREF_GAIN_CORR）串聯。

實際電池電壓（VCn）根據測量電壓（VCOUT）計算，如下式所示：

極端單元不平衡情況下的單元放大器凈空

對于（VC1–VC0）之間小于約2.64 V的電池電壓，（VC1–VC0）和（VC2–VC1）之間的極端電池電壓不平衡可能導致（VC2–VC1）放大器的增益損失。增益損失發生時的電池不平衡由方程式3確定：

假設VC0=VSS，可以看出當（VC1–VC0）>2.64伏時，（VC2–VC1）上的電壓可以達到4.4伏的極限，而不會損失任何增益。在（VC1–VC0）=1.4 V的最小值下，在（VC2–VC1）放大器的任何增益損失之前，可以容忍超過900 mV的不平衡。對于較高的（VC1–VC0）值，可以容忍越來越大的失衡。例如，當（VC1–VC0）=2.0 V時，高達1.33 V（即，（VC2–VC1）=3.33 V）的不平衡不會導致放大器性能下降。

正常情況下，電池不平衡超過900毫伏將表明電池組出現故障，應停止使用電池組。第二個單元輸入的增益損失不影響系統檢測這種情況的能力。增益衰減是漸進的，因此測量的不平衡永遠不會小于方程3設定的臨界不平衡。

因此，如果測量值（VC2–VC1）大于（VC1–VSS）/0.6，則檢測到嚴重的不平衡，電池組應進入故障狀態，以阻止進一步使用。在這種嚴重的電池不平衡情況下，由于放大器的增益降低，測量值（VC2–VC1）與任何過電壓限值的比較都是樂觀的，這進一步強調了進入故障狀態的必要性。

電池放大器在電池電壓降下的凈空

BAT和頂部電池電位之間的電壓差來自兩個來源，如圖11所示：流經RBAT濾波電阻器的V3P3調節器電流和保持電路串聯二極管DBAT中的電壓降。這些影響導致電池低于電池放大器測量的頂部電池電壓。

頂部單元放大器（VC6–VC5）設計用于測量低至1.4 V的輸入電壓，BAT和VC6引腳之間的差異高達1.2 V（也就是說，BAT可以比VC6低1.2 V）。然而，在少于6個單元的應用中，上部單元輸入通常與頂部單元輸入端短路。例如，在5單元應用中，VC6和VC5將被短接在一起，（VC5–VC4）放大器將測量頂部電池電壓。4芯和3芯的情況類似。

在這些情況下，當使用（VC5–VC4），（VC4–VC3）或（VC3–VC2）放大器測量頂部電池時，BAT和頂部電池放大器之間的差必須小于240 mV，以便測量低至1.4 V的電池電壓。請注意，在較高的電池輸入電壓下，頂部放大器可以承受更大的差異。例如，在5單元配置（VC6和VC5連接在一起）中，（VC5–VC4）放大器能夠測量低至1.7 V的輸入，VC5和BAT之間的差值為600 mV。

因此，在少于6個單元的系統中，最小化RBAT和使用肖特基型二極管來實現低正向電壓的DBAT是系統設計中的重要內容。如果無法將電池壓降降低到可接受的水平，則對于4芯和5芯配置，可將（VC6–VC5）放大器用作上單元放大器，如表1所示，這允許BAT和頂部電池之間的電壓差高達1.2 V。

電流監測

電流是通過一個連接在SENSEN和SENSEP之間的感測電阻將電流轉換成電壓來測量的。SENSEP上的正電壓表示放電電流正在流動，負電壓表示充電電流。感測電阻上產生的小電壓通過增益GVIOUT放大，并在VIOUT引腳上輸出，由主機ADC進行轉換。VIOUT上的電壓始終為正，對于零電流，設置為輸出范圍的3/4。電流檢測放大器正在反轉；放電電流使VIOUT減小，充電電流使VIOUT增大。因此，放電電流的測量范圍是充電電流測量范圍的3倍。

電流檢測放大器前面有一個多路復用器，它允許測量關于VSS的SENSEN或SENSEP輸入。主機通過在CONFIG U 1寄存器中寫入I\u AMP；CAL位來選擇用于測量的管腳。然后，主機通過從SENSEP處的測量電壓減去sensensen處的測量電壓來計算傳感電阻器上的電壓。如果SENSEN和VSS連接使得充電和放電電流不會流過它們之間的連接；也就是說，SENSEN和VSS之間沒有由于被測電流而產生的電壓降，然后，傳感器電壓的測量可以被視為一個校準步驟，并由主機存儲，作為VSENSE計算中的一個偽常數。傳感器電壓測量只需要在環境條件改變時才需要更新。

主機通過在配置寄存器中寫入I\U增益位來設置GVIOUT。4和8的可用增益允許在廣泛的組件電流范圍內使用各種感測電阻值進行操作。增益可以在任何時候改變，允許動態范圍和分辨率調整。放大器的輸入和輸出范圍由CONFIG U 2寄存器中的REF廑SEL位的值決定。這些值如表2所示。由于電流放大器是反相的，輸出范圍下的最小列對應于輸入范圍下的最大列。同樣，Output Range下的Max列對應于Input Range下的Min列。

根據測量電壓（VIOUT）計算實際電流，如下所示。注意，當放電電流流動時，VSENSE為正。為了符合電池組的慣例，ISENSE的符號被顛倒，因此放電電流為負。

（1）、SENSEN或SENSEP根據VSS測量。

（2）、輸出范圍假定VIOUT的典型值為ISENSE=0。對于非典型值，輸出范圍將相應移動。

（3）、當REF_SEL=0和1時，假設1 mΩRSENSE和ADC參考電壓分別為1.5 V和3.0 V。

過電流監測

bq76925設備還包括一個比較器，用于監測電流檢測電阻器，并在通過檢測電阻器的電壓超過選定閾值時向主機發出警報。可用的閾值范圍為25毫伏到400毫伏，通過在配置寄存器中寫入輸入閾值位來設置。正（放電）或負（充電）電流可通過設置CONFIG U 1寄存器中的I_COMP_POL位進行監控。通過選擇感測電阻和閾值，各種跳閘點可以支持廣泛的應用。

當超過閾值時，比較器結果通過開路漏極警報輸出向主機發出信號。此功能可用于在連接負載時喚醒主機或向主機警告潛在的故障情況。通過讀取狀態寄存器中的告警位，也可以獲得告警引腳狀態。

溫度監測

為了使主機能夠進行溫度測量，bq76925設備在一個單獨的輸出引腳（VTB）上提供LDO調節器電壓，用于偏置外部熱敏電阻網絡。為了盡量減少功耗，主機可以通過寫入功率寄存器中的VTB EN位來打開和關閉VTB輸出。注意，如果LDO由外部電源反饋，則VTB偏置將切換到外部電源。

在典型應用中，熱敏電阻網絡由一個電阻和一個NTC熱敏電阻串聯組成，形成一個電阻分壓器，其輸出與溫度成正比。該輸出可由主機ADC測量以確定溫度。

內部溫度監測

bq76925設備的內部溫度（色調）可以通過在單元控制寄存器中設置VCOUT U SEL='01'和CELL_SEL='110'來測量。在這種配置中，與溫度成比例的電壓（VTEMP_INT）輸出到VCOUT引腳上。該電壓與內部溫度的關系如下：

細胞平衡和開放細胞檢測

bq76925設備集成了由主機單獨控制的單元平衡FET。平衡方法是電阻放電平衡，平衡電流由外部電池輸入電阻設置。每個電池的最大允許平衡電流為50毫安。

主機可以通過將平衡位寫入平衡寄存器來激活一個或多個單元平衡fet。為了實現最大的靈活性，主機完全控制平衡fet。然而，為了避免超過最大單元輸入電壓，bq76925將防止兩個相鄰的平衡fet同時導通。如果平衡控制寄存器中的兩個相鄰位設為1，則兩個平衡晶體管都不會導通。基于主機的平衡算法還必須將功耗限制為設備的最大額定值。

在一個正常的系統中，關閉一個電池平衡場效應晶體管會導致一個電池輸入端出現2個電池電壓。此事實可用于檢測單元檢測線開路情況，即從單元檢測點到bq76925 VCn輸入的斷線。表3顯示了如何實現這一點。注意，正常的電池電壓測量值可能代表飽和或滿刻度讀數。然而，這些通常與開孔測量區分開來。

請注意，上面討論的單元放大器凈空限制適用于開放單元檢測方法，因為通過關閉設備內部的2個單元輸入之間的開關，這將顯示為單元極不平衡。因此，當通過關閉CELL1平衡FET來測試CELL2是否開路時，由于不平衡導致的增益損失，CELL2的測量值將小于預期的正常結果。然而，在這種情況下，CELL2的測量值仍然會增加，因此可以檢測到開路（無變化）和正常值（測量到的電壓增加）之間的差異。

功能模式

電源模式

上電復位（POR）

當開始給bq76925設備通電時，BAT引腳上的電壓必須超過VPOR（最大4.7 V），設備才會打開。在此之后，只要BAT上的電壓保持在VSHUT（最大3.6 V）以上，該裝置將保持運行。如果BAT電壓低于VSHUT，設備將關閉。當BAT上升到VPOR閾值以上，相當于POR時，從停機狀態恢復。停機后的VPOR閾值取決于BAT在越過VSHUT以下后達到的最低水平。如果BAT不低于約1.4 V，則適用更高的VPOR（最大7.5 V）。如圖12所示。

上電復位后，所有易失性寄存器都將進入默認狀態。因此，必須小心，在正常運行期間，BAT引腳上的瞬態不會低于VSHUT。為了避免在承受極端瞬變或失電的系統中出現這種情況，建議使用功能圖中所示的保持電路。使用保持電路時，必須注意觀察BAT到VC6的最大額定值。

備用

單元轉換器、電流放大器、基準和電流比較器等單個設備功能可以在主機控制下通過寫入功率寄存器來啟用和禁用。待機功能可通過禁用未使用的功能來節省電源。在最小功率待機模式下，可關閉所有設備功能，只保留3.3伏調節器處于活動狀態。

睡眠

除了待機，還有睡眠模式。在休眠模式下，主機命令bq76925設備關閉所有內部電路和所有功能，包括LDO調節器。由于喚醒檢測電路的漏電和通電，該設備在睡眠模式下消耗的電流最小（<1.5μa）。

休眠模式是通過將“1”寫入電源寄存器中的休眠位而進入的。喚醒是通過拉起警報引腳來實現的；但是，喚醒電路在V3P3處的電壓降到大約0 V時才啟用。為了方便V3P3的放電，在休眠模式激活期間，從V3P3連接到VSS的內部3-kΩ下拉電阻。一旦V3P3放電，可通過拉動VWAKE（最大2-V）上方的警示銷喚醒bq76925。

POWER\ CTL寄存器中的SLEEP_DIS位充當對休眠函數的覆蓋。當SLEEP_DIS設置為“1”時，寫入休眠位沒有效果（即，無法進入睡眠模式）。如果在進入睡眠模式后設置了睡眠模式，設備將立即退出睡眠模式。如果在設置SLEEP之后，但在V3P3放電低于有效工作電壓之前設置SLEEP_DIS，則會出現這種情況。如果V3P3管腳被外部電路卡住而不允許完全放電，也會發生這種情況。

如果不使用過電流報警功能，報警引腳可作為專用喚醒引腳使用。否則，警報引腳通常會被拉高至LDO電壓，因此在系統設計中必須小心，以免喚醒信號干擾調節器的正常工作。

編程

主機接口

主機通過I2C接口與AFE通信。可以選擇使用CRC字節來確保可靠的操作。根據多項式x8+x2+x計算消息中所有字節的CRC+1。

I2C尋址

為了減少通信開銷，I2C接口的尋址方案將從設備地址和設備寄存器地址合并為一個7位地址，如下所示。

地址[6:0]=（I2C_組地址[3:0]<<3）+注冊地址[4:0]

I2C組地址是存儲在EEPROM中的4位值。REG_ADDR是被訪問的5位寄存器地址，范圍為0x00–0x1F。組地址的工廠編程值為“0100”。

對于默認的I2C_GROUP_ADDR，組合地址的格式如表4所示。

對bq76925的總線寫入命令

主機寫入bq76925設備的寄存器，如圖13所示。bq76925通過在確認期間將SDA線拉低來確認每個接收到的字節。

主機可以選擇在數據字節之后發送CRC，如圖所示。寫入命令的CRC通過將CRC_EN位寫入CONFIG U 2寄存器來啟用。如果未使用CRC，則主機在bq76925確認接收到數據字節后立即生成停止條件。

當CRC被禁用時，bq76925設備將在數據字節ACK之后對SCL的第一個上升沿執行命令。這是停車前正常總線設置的一部分。如果在禁用CRC時發送了CRC字節，則在ACK之后的SCL的第一個上升沿將是CRC的第一位的時鐘。bq76925設備無法區分這兩種情況。在這兩種情況下，命令將正常完成，在后一種情況下，CRC將被忽略。

來自bq76925設備的總線讀取命令

主機讀取bq76925設備的寄存器，如圖14所示。這個協議與寫協議類似，只是從機現在將數據驅動回主機。bq76925設備通過在確認期間將SDA線拉低來確認每個接收到的字節。當BQ76向主機發回數據時，BQ76向主機發送應答。

主機可以選擇性地請求數據字節之后的CRC字節，如圖所示。讀取命令的CRC始終處于啟用狀態，但不是必需的。如果不使用CRC，則主機只需對數據字節進行NACK，然后生成停止條件。

應用與實施

注意

以下應用章節中的信息不是TI組件規范的一部分，TI不保證其準確性或完整性。TI的客戶負責確定組件的適用性。客戶應驗證和測試其設計實現，以確認系統功能。

申請信息

bq76925設備是一個主機控制的模擬前端（AFE），向主機系統提供單個電池電壓、電池組電流和溫度。主機控制器可使用此信息完成3系列至6系列電池鋰離子/鋰聚合物電池的電池組監控、平衡和保護功能。

下面的部分重點介紹了使用此設備時推薦的幾種實現方式。詳細的bq76925應用程序報告SLOA619，以及使用bq76925和MSP430G2xx2xx2-ic/" title="MSP430G2xx2XX2">MSP430G2xx2XX2、SLUA707的實施報告示例。

系統實施建議

電壓、電流和溫度輸出

bq76925設備以模擬形式提供電壓、電流和溫度輸出。測量系統需要一個帶有模數轉換器（ADC）的微控制器（MCU）。MCU至少需要三個輸入ADC通道來測量電池電壓、電流和溫度輸出。bq76925器件可以為MCU的ADC基準提供外部基準，比較MCU內部參考電壓的規格，確定使用AFE基準是否可以提高測量精度。

電源管理

bq76925設備可以禁用電源管理的各種功能。有關詳細說明，請參閱本文檔中的電源寄存器。此外，MCU可以通過寫入功率寄存器中的[休眠]位，將bq76925設備置于關機模式。在V3P3完成放電至0 V之前，喚醒電路不會激活。一旦喚醒電路激活，將警報引腳拉高可喚醒設備。這意味著，一旦發送休眠命令，bq76925設備將保持在關閉模式，如果V3P3大于0 V，則無法喚醒。

低壓差（LDO）調節器

當LDO負載電流高于4ma時，LDO必須與外通晶體管一起使用。在這種配置中，建議使用高增益旁路裝置。ZXTP2504DFH和IRLML9303是示例晶體管。建議使用Z1二極管來保護旁路晶體管的柵源或基極發射極。

添加RV3P3和CV3P3-2過濾器有助于將負載與由負載和BAT上的瞬態引起的V3P3瞬態隔離開來。

輸入濾波器

TI建議對BAT、VCx和SENSEN/P引腳使用輸入濾波器，以保護bq76925設備免受由電池負載切換引起的大瞬態影響。

此外，電池電壓突然下降時，BAT上的濾波器也避免了AFE的意外復位。為了進一步避免不必要的復位，可以在輸入濾波器中串聯使用阻斷二極管的保持電路。齊納二極管鉗位可與濾波電容器并聯添加，以防止重復峰值瞬變，該峰值瞬變會使濾波電容器超過裝置的絕對最大額定值。

輸出濾波器

輸出電容器用于V3P3、VREF、VCOUT和VIOUT，以保持穩定性。這些電容器也作為旁路電容器，響應于MCU內部開關和ADC操作。在ADC轉換之前，可以向這些輸出管腳添加附加濾波，以消除噪聲信號。對于V3P3，一個額外的濾波器有助于減少連接到bq76925設備V3P3引腳的電源輸入的瞬態。

電池平衡

bq76925設備集成了由主機單獨控制的單元平衡FET。該裝置不會自動占空比平衡場效應管，以便在平衡關閉時進行保護檢測用電池電壓測量。主機MCU負責這種管理。否則，MCU可以在單元平衡期間自由地打開電壓測量，從而啟用本文中描述的開放單元檢測方法。然而，bq76925器件確實防止兩個相鄰的平衡場效應晶體管同時開啟。如果出現這種情況，兩個相鄰的晶體管將保持關閉狀態。

典型應用

詳細設計程序

以下是詳細的設計程序。

1.選擇合適的MCU來完成電池管理解決方案。請參閱bq76925應用報告，SLUA619關于MCU的要求。

2.根據系統設計，確定是否需要4系列和5系列電池組的備用電池連接。請參閱本文檔的“電池電壓降下的單元放大器凈空”部分。

3.根據系統設計，確定是否需要BAT保持電路和/或外部旁路晶體管。按照參考原理圖完成電路設計。

4.使用bq79625和MSP430G2xx2在SLUA707中記錄了電路設計和MCU代碼實現的示例。

應用曲線

電源建議

電池的最大工作電壓為26.4伏。在某些情況下，峰值瞬態可能超過電池直流電壓的兩倍。確保設備不會超過其絕對最大額定值。

布局

布局指南

1.將BAT、VCx和SENSEN/P的輸入過濾器放在設備附近

2.將輸出電容器放在V3P3、VREF、VCOUT和VIOUT上，靠近設備

3.請在目標設備附近輸出過濾器（如果有）（例如，MCU ADC輸入端口）

4.隔離大電流和小電流接地。AFE、濾波電容器和MCU接地應連接到PCB的低電流接地平面。

布局示例

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