LNB之間的完整接口

I2CTM總線

內置DC/DC控制器

單12V電源操作

精確的內置22KHz音調

振蕩器

符合廣泛接受的標準

快速振蕩器啟動

DiSEqCTM編碼

內置22KHz音調檢測器

支持雙向DiSEqCTM

從機循環功能

操作

LNB短路保護和診斷的

電纜長度數字補償

內部溫度過高保護

ESD額定值4KV通電

輸入輸出引腳

說明

用于模擬和數字衛星機頂盒21臺電視機/衛星電視卡單片調壓器和接口IC，組裝在SO-20和PowerSO-20中，專門設計用于提供電源和至LNB的13/18V、22KHz音頻信號天線或多功能開關中的下變頻器盒子。在這個應用領域，它提供了一個完整的成分計數極低的溶液功耗設計簡單I2CTM標準接口。這個集成電路有一個內置的DC/DC升壓控制器從一個8到15V，產生的電壓后調節器工作在最低限度消散權力。欠壓鎖定電路將當提供的VCC低于固定閾值（通常為6.7V）。這個內部22KHz音頻發生器為工廠修整按照標準，并且可以由I2CTM接口或專用引腳（DSQIN），允許立即DiSEqCTM數據編碼（*）。的所有功能該集成電路通過I2CTM總線通過寫6系統寄存器上的位（SR，8位）。這個同一個寄存器可以被讀回，兩個位將報告診斷狀態。當集成電路被放入時待機（EN位低），電源塊是禁用和循環切換LT1和LT2引腳閉合，因此留下所有LNB主控電源和控制功能接收器（**）。當調節器塊激活（EN位高），輸出可以是邏輯的控制為13或18 V（典型值），通過用于遠程控制的VSEL位（電壓選擇）非疾病LNB。此外，這是可能的將所選電壓增加1V（典型值）補償過大電壓降的值沿著同軸電纜（LLC位高）。為了最大限度地降低功耗，降低輸出電壓調節轉換器內部升壓使線性調節器至少工作輟學。SR的另一部分是針對遠程控制非DiSEqC LNBs:10（音調啟用）位。當設置為高時，a不管怎樣，都會產生持續的22KHz音調DSQIN引腳邏輯狀態。十位必須當DSQIN引腳用于DiSEqCTM編碼。完全雙向的DiSEqCTM接口由內置22KHz音調檢測器。其輸入引腳（DETIN）必須交流耦合到DiSEqCTM總線，并且提取的PWK數據可在DSQOUT引腳（*）。為了提高設計的靈活性新型LNB遙控器的實現標準，模擬調制輸入引腳是可用（EXTM）。適當的直流閉鎖必須使用電容器耦合調制信號源到EXTM引腳。當外部未使用調制，可留下相關引腳打開。

電流限制塊有兩個閾值可由SR的ISEL位選擇的下限值在400到550mA之間（ISEL=高），而較高的閾值為在500和650mA之間（ISEL=低）。當前保護塊是SOA類型。這個將短路電流（Isc）限制在200毫安，ISEL=高，300毫安時當輸出端口連接到接地。可以設置短路電流靜態保護（簡單電流鉗）或按SR的PCL位命名；當PCL（脈沖電流限制）位設置為低，過流保護電路工作動態：一旦檢測到過載，輸出通常會關閉一段時間900毫秒。同時系統的OLF位寄存器設置為高。過了這段時間經過時，輸出恢復一段時間t=1/10toff（典型值）。如果超載仍然存在檢測到，保護電路將再次循環通過托夫和頓。在一整噸的最后如果沒有檢測到過載，則正常運行恢復，OLF位重置為低。典型的Ton+Toff時間為990ms，由內部定時器。這種動態操作可以極大地減少短路時的功耗狀況，仍能確保良好的通電啟動在大多數情況下（**）。但是，在某些情況下輸出端的高電容性負載可能導致動態保護啟動困難被選中的。這可以通過啟動任何力量來解決在靜態模式下啟動（PCL=高），然后之后切換到動態模式（PCL=低）一定的時間。當處于靜態模式時，當電流鉗位時，OLF位變高當過載條件被清除。該IC還可防止過熱：當結溫超過150℃時（典型），升壓轉換器和線性調節器關閉，回路槽開關打開，SR的OTF位設置為高。恢復正常操作，OTF位當結冷卻到140°C（典型值）。

（1）：需要外部組件來滿足雙向DiSEqCTM總線硬件要求。使用此IC并不意味著整個應用程序完全符合DiSEqCTM規范。

（2）：限流電路對環通開關沒有影響。當EN位低時，從LT1流向LT2的電流必須受到外部限制。

（1）未使用時設為GND

（2）根據EUTELSAT建議使用的過濾器來實現DiSEqCTM 2.x，如果雙向DiSEqCTM 2.x是未實施（見DiSEqC實施說明）

（3）IC2是ST Fettky，STS4DNFS30L，包括DC/DC轉換器所需的肖特基二極管和N溝道Mos Fet，在一個So-8的包裹里。可以用肖特基二極管（STPS2L3A或類似產品）和N溝道Mos Fet（STN4NF03L或類似產品）代替

I2C總線接口

從主μP到LNBP21的數據傳輸viceversa通過2根電線I2C發生總線接口，由兩條線路SDA和上拉電阻器至正電源電壓必須外部連接）。

數據有效性

如圖1所示，SDA線路上的數據必須在時鐘的高時段保持穩定。這個數據線的高低狀態只能當SCL線路上的時鐘信號為低。啟動和停止條件如圖2所示，啟動條件是SCL高時SDA線的低躍遷。停止條件是SCL高時SDA線。停下來每次啟動前必須發送條件條件。

字節格式

傳輸到SDA行的每個字節必須包含8位。每個字節后面必須跟一個ac知識位。首先傳輸MSB。承認主（μP）在確認時鐘脈沖期間的SDA線（請參閱圖3）。外圍設備（LNBP21）的承認必須拉低SDA在確認時鐘脈沖期間在這個時鐘脈沖期間，SDA線是穩定的低電平。已尋址的外圍設備必須在接收到每個字節，另一種情況下SDA行保持在第九個時鐘脈沖時間內的高電平。在在這種情況下，主發射機可以生成停止信息以中止傳輸。LNBP21不會生成確認，如果Vcc電源低于欠壓鎖定閾值（6.7V典型值）。無應答傳輸避免檢測到LNBP21，μP可以使用更簡單的傳輸：它只需等待一個時鐘而不檢查slave確認，并發送新數據。當然，這種方法不太受保護誤操作，降低抗擾度。

LNBP1軟件說明

接口協議

接口協議包括：-啟動條件-芯片地址字節=十六進制10/11（LSB位確定讀取（=1）/寫入（=0）傳輸）-數據序列（1字節+確認）-停止條件（P）

ACK=確認

S=開始

P=停止

R/W=讀/寫

R、 W=讀寫位

R=只讀位

通電時所有位重置為0

傳輸數據（I2C總線寫入模式）當芯片地址中的R/W位設置為0時，主μP可以寫入系統寄存器（SR）通過I2C總線。只有6位可用的8可以由μP寫入，因為維修2保留診斷標志，和是只讀的。

接收數據（I2C總線讀取模式）

LNBP21可以向主機提供系統通過I2C總線注冊信息在讀取模式下。讀取模式被主激活通過發送R/W位設置為1的芯片地址。在以下主機生成的時鐘位處LNBP21在SDA數據總線上發出一個字節（先傳輸MSB）。在第九個時鐘位，MCU主機可以：-以這種方式開始確認接收另一個字節從LNBP21；

-無應答，停止讀取模式溝通。當整個寄存器被μP讀回時，只有OLF和OTF兩個只讀位傳送關于LNBP21的不可知信息。

除非另有規定，否則值為典型值

上電I2C接口復位

LNBP21內置的I2C接口是開機自動復位。只要Vcc保持低電壓鎖定閾值（6.7V典型值），接口將不響應任何I2C命令和系統寄存器（SR）初始化為所有零，因此禁用電源塊。一旦Vcc上升到7.3V，I2C接口開始工作，并且SR可由主μP配置。這是由于在UVL中提供大約500毫伏的滯后避免錯誤重新觸發的閾值上電復位電路。DiSEqCTM實施LNBP21幫助系統設計者實現雙向（2.x）DiSEqC協議通過簡單的PWK調制/22KHz載波的解調。PWK數據在LNBP21和主μP使用與3.3和5V mi遙控器。這個數據通過兩個專用引腳進行交換，為了保持PWK數據與PWK調制盡可能精確。這兩個引腳應直接連接到μP的兩個I/O引腳，因此留給住戶固件編碼和解碼的任務PWK數據符合DiSEqC方案。系統完全符合規范因此，僅使用LNBP21并不意味著。系統設計者也應該考慮總線硬件要求，包括主電源的阻抗在22KHz下測量的發射機。限制在卡里爾頻率衰減，這個阻抗在22KHz時必須是15歐姆，降到0歐姆在直流電，以允許電力流向外圍設備。這可以簡單地通過LR端接在LNBP，如典型應用電路所示在第5頁。單向（1.x）DiSEqC和非DiSEqC系統通常不需要這種終止，并且OUT引腳可以直接連接到LNB調諧器的電源端口。也沒有必要因此，建議將DETIN和DSQOUT引腳接地避免電磁干擾。地址PIN將此引腳連接至芯片I2C接口地址是0001000，但是，可以選擇在4個不同的地址中設置4個固定電壓等級的引腳（見第頁的表10） 。

LNBP系列的電氣特性（TJ=0至85°C，EN=1，LLC=0，TEN=0，ISEL=0，PCL=0，DSQIN=0，VIN=12V，IOUT=50mA，除非另有規定。請參閱軟件說明部分用于I2C訪問系統寄存器）

門極和感測電氣特性（TJ=0至85°C，VIN=12V）

典型特性（除非另有規定，Tj=25°C）

終端設計說明

在正常運行期間，該裝置會消散一些力量。在最大額定輸出電流下（500mA），線性調節器上的電壓降導致總的能量消耗大約1.7W.產生的熱量需要散熱片保持結溫低于超溫保護閾值。假設內部溫度為40°C機頂盒，總的香港電臺amb必須低于50°C/W。雖然使用可連接的通孔電源組件到一個小的散熱器或金屬框架接收器，表面安裝的電源組件必須依靠熱效率為通常是有限的。最簡單的解決方案是使用接地層的大面積連續銅區散熱IC體的熱量。該IC的SO-20封裝有4個GND引腳不只是用于電氣接地連接，也能提供低熱量硅片與PCB散熱片。假設Rthj-c等于15°c/W，PCB的最大溫度為35°C/W散熱片。如果最小值為25cm2的銅面積正好位于IC的下方身體。這個區域可以是多層PCB，或者在雙層PCB中即使在對側也沒有損壞的GND區域IC的位置。在這兩種情況下IC GND引腳和耗散之間的路徑銅區必須具有低的熱阻。在圖4中，它顯示了帶有雙層PCB的SO-20封裝，其中消散接地面積通過32個通孔進行熱連接，用焊料填充。這種安排，L=50mm，達到約25°C/W的Rthc-a。不同的布局也是可能的。基本然而，原則建議保留IC及其接地針腳大約在消散區；提供盡可能多的通孔可能的；設計一個具有形狀盡可能方形，不要中斷其他的銅痕跡。由于存在與IC體下方接地，PowerSO-20一攬子計劃的港臺稅率比SO-20低得多，只有2°C/W。因此，銅面積要低得多必須提供相同的功率和至少12cm2的銅面積足夠，參見圖5。

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