特征
100%測試沉降時間340ns典型值
在和節點處為1mV,10V步進最大540ns
用固定反饋電容器測試
最小轉換速率60V/μs
增益帶寬產品14MHz
功率帶寬(20Vp-p)1.2 MHz
單位增益穩定;相位裕度60°
輸入偏置電壓最大600μV
輸入偏置電流25°C最大75pA
70°C最大600pA
輸入偏移電流25°C最大40pA
70°C最大150pA
應用程序
快速12位D/A輸出放大器
高速緩沖器
快速采樣保持放大器
高速積分器
電壓-頻率轉換器
有源濾波器
對數放大器
峰值檢波器
說明
LT1122 JFET輸入運算放大器組合高速精密性能。獨特的多晶硅柵JFET工藝使柵極系列最小化電阻和柵漏電容,方便寬帶寬性能,不降低JFET晶體管匹配。它在80V/μs下旋轉,在340ns下沉降。LT1122是內部補償為統一增益穩定,但它有一個帶寬為14MHz,電源電流僅為7mA。它速度使LT1122成為快速沉降的理想選擇12位數據轉換和采集系統。LT1122偏置電壓為120μV,電壓增益為500000還支持12位精確應用。輸入偏置電流為10pA,偏置電流為4pA結合其速度,LT1122可用于例如高速采樣保持放大器、峰值檢測器和積分器等應用。

絕大最值
電源電壓 ±20伏
差分輸入電壓 ±40伏
輸入電壓 ±20伏
輸出短路持續時間不確定
鉛溫度(焊接,10秒)300攝氏度
工作溫度范圍
LT1122AM/BM/CM/DM –55°C至125°C
LT1122AC/BC/CC/DC/CS/DS –40°C至85°C
儲存溫度范圍
所有設備 –65°C至150°C
除非另有說明,否則電氣C特性VS=±15V,TA=25°C,VCM=0V。(注1)

除非另有說明,否則電氣C特性VS=±15V,TA=25°C,VCM=0V。

表示適用于整個操作的規范溫度范圍。
注1:LT1122在自動測試儀中的測量值小于1第二次是在通電之后。取決于使用的包裝,功率散熱、散熱和氣流條件下,完全預熱芯片溫度可比環境溫度高10°C至50°C。
注2:使用沉降法對A和C級的沉降時間進行100%測試顯示時間測試電路。此測試不包括在質量保證中樣品測試。
注3:輸入電壓范圍功能通過測試偏移量來保證輸入電壓范圍內的電壓最大限制為4mV(a、B等級),至5.7mV(C、D級)。
注4:通過測量在±5V電源條件下最大為7毫伏。
注5:LT1122未經測試,也未經質量保證抽樣–40°C和85°C。這些規格由設計保證,-55°C、0°C、25°C、70°C和/或125°C的相關性和/或推斷測驗。
電氣特征
VS=±15V,VCM=0V,–40°C≤TA≤85°C,除非另有說明。(注5)

典型性能特征


典型應用
沉降時間測量
穩定時間測試電路設備數據表要求:
1.“平頂”脈沖發生器。不幸的是,平頂脈沖發生器不是商用的。
2.裝置周圍的可變反饋電容器測試。這個電容器在四比一的范圍內變化。大概是因為每一個運算放大器都是用來測量的時間,電容器被微調以優化沉降那個特殊裝置的時間到了。
3.一個小電感器負載優化的沉降。試驗中對LT1122的沉降時間進行了100%的測試所示為電路。不需要“平頂”脈沖發生器。使用市面上可買到的集成電路,可以方便地構建測試電路。當然,標準高頻應遵循板材施工技術。全部LT1122采用恒定反饋電容進行測量。不需要微調。速度提升/過度補償終端LT1122的引腳8可用于更改輸入級裝置的工作電流。將針腳8短接到正電源(引腳7)增加了轉換速率和帶寬減少了大約25%,但代價是階段性的減少邊緣大約18度。單位增益有效負載處理能力從通常的500pF降低到100華氏度。相反,將15k電阻從引腳8連接到接地將1mA從針腳8中拔出(V+=15V)。這個將轉換率和帶寬降低25%。相位裕度電容性負載處理能力得到改善;后者是典型的增加到800pF。
高速運行
與大多數高速放大器一樣,應該小心帶電源去耦、引線和組件安置。LT1122的電源連接必須在帶寬為20兆赫。當驅動一個重要的電阻或電容負載時,這一點尤其重要,因為所有的電流都會傳遞負載來自電源。多重高建議為每種電容器提供優質的旁路電容器任何關鍵應用中的電源線。0.1μF如圖所示,放置陶瓷和1μF電解電容器盡可能靠近放大器(使用短導線電源長度(公共)將確保足夠高頻旁路,在大多數應用中。

當運算放大器周圍的反饋是電阻(RF)時,a將用射頻、源電阻和電容(RS,CS)和放大器輸入電容(CIN≈4pF)。在低閉環增益配置和當RS和RF在千歐姆范圍內時,這個磁極可以產生過大的相移甚至振蕩。小電容器(CF)與RF并行可消除此問題。與RS(CS+CIN)=RFCF,反饋極點的影響為完全移除。

典型應用
9ppm失真石英穩頻振蕩器

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