特征

用于同步整流的雙MOSFET驅動器

轉換器

快速外部MOSFET的高驅動電流

切換

集成自舉二極管

高頻操作

啟用引腳

自適應死區管理

柔性門驅動器：5 V至12 V兼容

輸出的高阻抗（HiZ）管理

階段停堆

初步OV保護

SO-8和DFN10 3x3包

應用

臺式機/服務器用大電流VRM/VRD/工作站CPU

大電流、高效率DC/DC轉換器

說明

L6743、L6743Q是一款靈活的高頻雙驅動器，專門設計用于驅動N通道同步整流mosfet巴克拓撲。結合ST PWM控制器，驅動器允許實施完整的電壓調節器現代大電流CPU和DCDC轉換一般。L6743、L6743Q為兩個高壓側嵌入大電流驅動器以及低邊MOSFET。設備接受靈活的電源（5 V至12 V）可優化高壓側和低壓側的柵極驅動電壓最大化系統效率。內置自舉二極管，節省使用外部二極管。反射穿管理避免了高的一面和低的一面MOSFET同時傳導，結合自適應死區控制，最小化LS體二極管傳導時間。L6743、L6743Q嵌入初步OV保護：在Vcc克服UVLO和當器件在HiZ中時，LS-MOSFET是打開以保護負載以防輸出電壓克服警告閾值保護針對HS故障的輸出。可用的驅動程序為SO-8和DFN10 3x3包裝

電氣特性

表5。電氣特性

（VCC=12 V±15%，TJ=0°C至70°C，除非另有規定）

設備說明和操作

L6743、L6743Q為高壓側和低壓側提供大電流驅動控制N溝道mosfet作為外部驅動的降壓DC-DC變換器連接PWM信號。集成的大電流驅動器允許使用不同類型的電源MOSFET（也是多個MOS以減少等效的RDS（on）），保持快速開關過渡。高壓側MOSFET的驅動器使用啟動引腳供電，相位引腳用于返回。低側MOSFET的驅動器使用VCC引腳供電，PGND引腳用于返回。該驅動器采用了反擊穿和自適應死區控制，以盡量減少低側體二極管的傳導時間，保持良好的效率，節省了肖特基的使用

二極管：當高壓側MOSFET關閉時，其源電壓開始下降；何時電壓達到2v左右時，突然施加低壓MOSFET柵極驅動電壓。當低側MOSFET關閉時，檢測LGATE引腳上的電壓。當它掉下來的時候在大約1v以下，高壓側MOSFET柵極驅動電壓突然被施加。如果電感器中的電流為負，高側MOSFET的源永遠不會下降。即使在這種情況下，為了允許低側MOSFET導通，

看門狗控制器啟用：如果高側MOSFET的源沒有下降，那么低側MOSFET是打開，使感應器的負電流再循環。這個機制即使電流為負，也允許系統進行調節。在VCC克服UVLO閾值之前，L6743、L6743Q始終牢牢關閉高側和低壓側MOSFET，然后，在UVLO被越過之后，EN和PWM輸入控制駕駛員的操作。EN pin啟用驅動程序：如果低將保持所有MOSFET關閉（HiZ），與PWM狀態無關。當EN為高電平時，PWM輸入

接受控制：如果保持浮動，內部電阻分壓器設置HiZ狀態：兩者MOSFET在PWM轉換之前一直處于關閉狀態。在UVLO穿越后和在HiZ時，初步的OV保護被激活：如果電壓感應通過相位引腳克服約1.8伏，低側MOSFET是鎖緊，以保護負載免受危險的過電壓。驅動程序狀態為從PWM轉換復位。

驅動電源以及電源轉換輸入靈活：5V和12V均可選擇高邊和低邊MOSFET電壓驅動。

高阻抗（HiZ）管理

驅動器能夠通過保持所有mosfet處于關閉狀態來管理高阻抗狀態兩種不同的方式。

如果EN信號被拉低，裝置將保持所有MOSFET關閉，忽略PWM狀態。

當EN被斷言時，如果PWM信號在HiZ窗口中保持較長時間

在等待時間之外，設備檢測到HiZ狀態，因此關閉所有莫斯費茨。HiZ窗口定義為包含在VPWM_IL和VPWM_IH。只有在PWM轉換到邏輯零（VPWM）后，設備才從HiZ狀態退出<VPWM_-IL）。有關HiZ計時的詳細信息，請參見圖4。高阻抗狀態的實現允許將要連接的控制器給驅動器管理其輸出的高阻抗狀態，避免產生負極在關閉階段調節電壓不足。而且，不同可以管理電源管理狀態，例如預偏壓啟動。

初步OV保護

在VCC克服其UVLO閾值后，在HiZ中，L6743、L6743Q激活初步OV保護。這種保護的目的是保護負載，尤其是高側MOSFET故障在系統啟動期間。事實上，VRM，以及更一般的PWM控制器，有一個12伏總線兼容開啟閾值，如果VCC低于該開啟閾值（結果在約10 V范圍內），則不工作。如果是高側MOSFET如果出現故障，控制器在VCC=~10 V之前不會識別過電壓（除非其他特殊功能實現）：但在這種情況下，輸出電壓已經是相同的電壓（~10V）和負載（大多數情況下是CPU）已經燒毀。L6743、L6743Q通過鎖定低壓側MOSFET旁路PWM控制器在HiZ狀態下，相pin電壓超過2v。當PWM輸入退出窗體時HiZ窗口，保護復位，輸出電壓控制轉移至控制器連接到PWM輸入。因為驅動程序有自己的UVLO閾值，一種簡單的方法來為當設備關閉時，所有條件下的輸出包括通過5 VSB總線：5 VSB始終出現在任何其他電壓之前，并且，如果是高壓側總之，低側MOSFET驅動5v，確保負載的可靠保護。初步OV在UVLO之后激活，當駕駛員處于HiZ狀態且被禁用時在第一次PWM轉換后。控制器必須管理它的輸出電壓時間到了。

內部啟動二極管

L6743，L6743Q嵌入一個啟動二極管，為高壓側驅動器供電，節省了使用外部組件。只需在啟動和相位之間連接一個外部電容器完成高壓側電源連接。為了防止自舉電容器因大的負尖峰而產生額外的電荷，串聯至時可能需要外部串聯電阻RBOOT（在幾歐姆范圍內）后備箱銷。需要設計自舉電容器，以顯示由于高側MOSFET開啟。事實上，它必須給高壓側驅動器提供穩定的電壓供應在MOSFET的開啟過程中，還可以最大限度地減少嵌入式啟動所消耗的功率二極管。圖5給出了一些關于如何為根據所需放電和選擇的MOSFET引導。

功率損耗

L6743，L6743Q為高側和低側MOSFET嵌入了高電流驅動器：是的然后重要的是要考慮設備在驅動它們的過程中所消耗的能量以避免克服最高結工作溫度。影響器件功耗的主要因素有兩個：偏置功率和驅動器功率。

裝置（PDC）的功耗取決于裝置的靜態功耗提供引腳，可簡單量化如下：

司機電源是指司機連續開關所需的電能外部mosfet，它是開關頻率和總柵電荷的函數所選的MOSFET。考慮到總功率PSW可以量化開關損耗的mosfet主要有三個因素：外柵極電阻（如果存在）、本征MOSFET電阻和本征驅動器電阻。最后一項是計算器件功率需要確定的重要項消散。

開關MOSFET所消耗的總功率結果：PDC VCC ICC VPVCC IPVCC=⋅PSW F=SW⋅QGHS⋅PVCC+QGLS

在設計基于L6743、L6743Q的應用程序時，建議考慮考慮外部柵極電阻對驅動器消耗功率的影響。外部柵極電阻有助于器件耗散開關功率，因為功率PSW將在內部驅動器阻抗和外部電阻器之間共享導致設備普遍冷卻。參考圖6，典型的MOSFET驅動器可以用推挽輸出來表示采用兩種不同的MOSFET級：P-MOSFET驅動外柵極高，N  MOSFET驅動外柵極低（使用自己的RD（on）：Rhi峎HS、Rlo峎HS、Rhi峎LS，跑道）。在這種情況下，外部功率MOSFET可以用電容來表示（CG_-HS，CG-LS）存儲外部電源所需的柵極電荷（QG-HS，QG-uls）MOSFET達到驅動電壓（HS為PVCC，LS為VCC）。這個電容是以驅動器開關頻率FSW充放電。總功率Psw在沿行駛路徑。根據外柵電阻和功率MOSFET的本征特性柵極電阻，驅動器僅耗散Psw的一部分，如下所示：

布局指南

L6743、L6743Q提供驅動能力，以實現大電流降壓DC-DC轉換器。為這些應用程序放置組件時的第一個優先級必須保留給電源部分，盡可能減少每個連接和回路的長度。到盡量減少噪音和電壓尖峰（也包括EMI和損耗）電源連接必須是一部分一個電源平面和無論如何實現了寬厚的銅痕跡：環路必須無論如何最小化。關鍵部件，如功率mosfet，必須靠近其他。然而，功率MOSFET之間仍然需要一些空間來保證良好的性能熱冷卻和氣流。驅動器和MOSFET之間的軌跡應短而寬，以盡量減少使驅動信號中的振鈴最小化的軌跡電感。此外，通孔也很重要需要最小化以減少相關寄生效應。建議使用多層印刷電路板。小信號組件和連接到應用程序的關鍵節點以及設備電源的旁路電容器也很重要。找到旁路電容器（VCC、PVCC和BOOT電容器）靠近設備，回路盡可能短使用寬銅線來最小化寄生電感。不使用肖特基二極管與低邊MOSFET并聯的系統可能會顯示出相位針上有大的負尖峰。這個尖峰和正尖峰一樣是有限的但是還有一個額外的后果：它會導致自舉電容器過度充電。在最大輸入電壓和在特定的瞬態過程中，啟動到相電壓克服了絕對最大額定值也導致設備故障。在這種情況下，建議通過增加一個小電阻串聯到啟動電容器。使用RBOOT也有助于啟動引腳上的峰值限制。為了散熱，將銅片放在IC下面。該銅區可以連接內部銅層通過幾個通孔來提高導熱性。這個驅動器下的銅墊、銅平面和過孔的組合允許設備達到最佳熱性能。

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