特征

PFC部分

–帶過電流的過渡模式PFC

保護

–過電壓保護

–反饋斷開

–欠壓鎖定

–PFC扼流圈飽和檢測

–THD優化器

半橋段

–預熱和點火階段

獨立可編程

–3%振蕩器精度

–1.2μs死區時間

–可編程和精確的壽命終止

保護符合所有鎮流器

配置

–智能硬交換檢測

–帶扼流圈的快速點火電壓控制

飽和檢測

–半橋過流控制

電氣特性

VCC=15 V，TA=25°C，CL=1 nF，COSC=470 pF，RRUN=47 kΩ，除非另有規定

1.跟蹤中的參數

2.統計特性在-125°C的溫度范圍內相關性

3.脈沖串已發送至HBCS引腳，f=6 kHz；脈沖持續時間為注釋中所示的“TON”

設備說明

L6585DE嵌入了高性能PFC控制器、鎮流器控制器和所有制造電子鎮流器所需的相關驅動程序。PFC部分實現在過渡模式下運行的電流模式控制，提供高線性倍增器包括一個THD優化器，允許極低的THD，甚至在大范圍的輸入電壓和負載條件下。PFC輸出電壓由電壓模式誤差放大器和精確的內部電壓基準。鎮流器控制器為設計者提供了一個非常精確的振蕩器，一個管理所有的邏輯

操作步驟和全套保護功能：

可編程壽命終止檢測，符合燈對地和電容器對地配置

具有限流或扼流飽和保護的過流保護

硬交換事件檢測

PFC（300毫安電源和600毫安接收器）和半橋（290毫安源和480毫安匯）也允許鎮流器設計非常高的輸出功率（高達160瓦）。

VCC部分

L6585DE通過在VCC引腳和GND引腳之間施加電壓供電。欠電壓鎖定（UVLO）可防止IC在電源電壓過低的情況下工作保證內部結構的正確行為。內部電壓鉗位將電壓限制在17伏左右，可提供高達20毫安的電流。為這是因為它不能直接用作電荷泵的鉗位（電流峰值通常為達到幾百毫安），但可以很容易地在啟動時使用，以便為VCC電容器或在保存模式下，以保持IC的活性，例如，連接通過VCA輸入電阻。除了體積電容器（>1μF），建議放置100 nF陶瓷電容器靠近VCC引腳。

PFC部分

TM PFC操作

PFC階段包含實現過渡模式PFC所需的所有特性控制器

由于高性能的誤差放大器和非常精確的內部電壓基準，將E/A的非逆變輸入固定到2.52 V±2%?？刂苹芈纷鞒龇磻?，使逆變輸入達到相同的電壓。連接高壓軌至INV引腳，通過分壓器，輸出電壓為容易設置。E/A的輸出可用于用RC補償控制回路網絡，或者更常見的是，在INV和COMP引腳之間連接一個簡單的電容器。E/A的輸出電壓也被饋送給乘法器。此塊將波形倍增通過E/A的輸出出現在多引腳上。產生的電壓將用作電流感應輸入的閾值。內部夾將閾值限制為最大值值等于1 V。圖5給出了倍增器的特性曲線。

ZCD輸入可以直接連接到PFC扼流圈的輔助繞組當扼流圈電流為零時，開啟MOSFET。此銷有內部卡箍高電流能力，使它能適應非常寬的輸入電壓范圍。啟動時，當PFC扼流圈未通電時，內部起動器向重復頻率約為15千赫的PFC門驅動器。當電流達到閾值時關閉MOSFET并打開當扼流圈電流達到零時，一種三角形輸入電流，其峰值為得到了由多電壓調制的結果。用電源給MULT pin供電實現了功率因數校正和THD降低。

前緣下料

通常電流感應電壓是通過RC網絡過濾的，以避免錯誤由于與寄生漏極有關的放電電流而關閉MOSFETMOSFET導通時間開始時的電容。此篩選生成在實際的閾值交叉和輸入觸發之間的延遲。在此期間PFC電感器電流增加，扼流圈可能飽和。前沿空白結構使PFCC輸入僅在PFG開啟后200 ns（典型值）后激活。這個允許使用飽和電流較低的電感器。但是，如果發生飽和，則扼流圈飽和保護一旦引腳PFCC處的電壓達到1.7V以上。

THD優化器功能

當輸入電壓通過零時，PFC扼流圈不能儲存能量，因為它的電壓很低。這可能導致嚴重的交叉失真和隨后的THD降解。一個小的偏移電壓疊加在MULT電壓上可以降低這個問題。內部THD優化器提高了電源電壓達到時的性能零；這減少了交叉失真并避免了偏移的引入。

過電壓保護

可以檢測到兩種不同的過電壓保護：動態過電壓，通常是由于由于輸入電壓過大，負載快速過渡和靜態過電壓。

動態OVP

CTR引腳通過分壓器連接到高壓軌。如果電壓在此引腳高于3.4 V，PFC柵極驅動器將停止，直到電壓返回到低于門檻。這限制了扼流飽和和MOSFET損壞的風險。

靜態OVP

穩定的過電壓可能會導致兩個PFC的異常行為（例如，因為輸入電壓高于PFC輸出電壓）和鎮流器（例如過熱、燈過電流，電容模式工作點）。穩定的過電壓會導致補償銷向低飽和（約2.25 V）過渡。事實是L6585DE認為是靜態過電壓事件，啟動Tch循環。在這個循環之后，如果COMP引腳飽和低，則IC被鎖定在低消耗狀態

模式。

禁用L6585DE

CTR引腳可用于在不斷開電源的情況下關閉IC。當CTR為拉到0.75 V以下，IC停止，內部邏輯復位。當CTR解除時，IC從新的預熱順序開始。此功能僅在IC不可用時可用由于故障保護干預而鎖定。

保護反饋斷開

非常快的輸出電壓浪涌可能會損壞分壓器的上部電阻器輸入INV引腳，導致反饋斷開。在這種情況下，E/A飽和很高PFC柵極驅動可以長時間開啟MOSFET（電流感應閾值假設其最大值等于1 V），扼流圈可能飽和，從而破壞MOSFET。輸出電壓增長很快，即使過電壓過電壓也可能達到很高的值觸發。如果VINV<1.2 V且觸發動態過電壓保護，則激活反饋斷開保護。

PFC過流保護

在PFC扼流圈飽和或來自輸入端的浪涌，由于MOSFET體二極管的擊穿。后一種情況是觀察到PFC輸出的過電壓。在這兩種情況下，PFC階段停止，而HB階段繼續切換。這個保護未鎖定：一旦PFCC降至1.7 V以下，PFC驅動器重新啟動。

道碴斷面

半橋驅動器和集成自舉二極管

半橋驅動器能夠提供290毫安源電流和480毫安匯電流。這使得他們能夠有效地驅動大的MOSFETs Cg高達2.2nf。高邊MOSFET是采用自舉結構驅動，減少了外部組件的數量。

正常啟動說明

參考圖7，正常啟動過程如下：

1.啟動：一旦Vcc達到啟動閾值，電壓參考值就建立起來，RF和EOLP引腳偏置，EOI引腳被拉下，TCH引腳啟動源電流為31μA。半橋的頻率由內部CCO產生，接COSC，用射頻電流作為控制信號。使用EOI引腳拉低，啟動頻率將由于電流與RPRE和RRUN（見典型應用圖）。

2.預熱：TCH引腳繼續供電31μA，直到電壓達到4.63 V，因此它處于高阻抗狀態。因為這個銷裝了一個RC平行線網絡，這個引腳上的電壓呈指數下降。當電壓達到1.5 V時TCH引腳被拉下，預熱時間結束。在此過程中，EOI引腳下拉，半橋頻率為啟動頻率。邊緣消隱在這段時間內處于活動狀態，以避免檢測到硬開關事件，在這個階段非常常見。

3.點火：在TCH循環結束時，EOI引腳在高阻抗模式下保持空閑。因此，連接在EOI和地面之間的電容器通過射頻進行充電RPRE。射頻管腳產生的電流呈指數下降，頻率和它一起。開關頻率的指數下降導致線性增加指示燈電壓。當燈電壓達到沖擊值時，燈點火。點火時間由RPRE和CIGN的值設置。點火電流控制保護、抗鎮流器扼流飽和保護和前緣消隱全部激活。

4.運行模式：當EOI電壓達到1.9V時，IC進入運行模式，并且開關頻率僅由RRUN設置。電流控制保護和抗鎮流器扼流圈飽和現在激活，閾值較低，前緣消隱無效激活并激活快速硬開關檢測器。

振蕩器特性曲線表示半橋頻率與

射頻引腳和接地之間的電阻R。在預熱過程中，R等于RRUN in與RPRE并行，而在運行模式R等于RRUN。每條曲線都與COSC電容器和的值如圖10所示。COSC值在引腳1（OSC）和15（GND）之間測量；對于其他電容器數值請參考AN2870。在預熱和運行模式下，R的正確值可以通過圖形方式找到與所選電容器和分別為FPRE和FRUN的曲線

　　安芯科創是一家國內芯片代理和國外品牌分銷的綜合服務商,公司提供芯片ic選型、藍牙WIFI模組、進口芯片替換國產降成本等解決方案,可承接項目開發,以及元器件一站式采購服務,類型有運放芯片、電源芯片、MO芯片、藍牙芯片、MCU芯片、二極管、三極管、電阻、電容、連接器、電感、繼電器、晶振、藍牙模組、WI模組及各類模組等電子元器件銷售。（關于元器件價格請咨詢在線客服黃經理：15382911663）

　　代理分銷品牌有：ADI_亞德諾半導體/ALTBRA_阿爾特拉/BARROT_百瑞互聯/BORN_伯恩半導體/BROADCHIP_廣芯電子/COREBAI_芯佰微/DK_東科半導體/HDSC_華大半導體/holychip_芯圣/HUATECH_華泰/INFINEON_英飛凌/INTEL_英特爾/ISSI/LATTICE_萊迪思/maplesemi_美浦森/MICROCHIP_微芯/MS_瑞盟/NATION_國民技術/NEXPERIA_安世半導體/NXP_恩智浦/Panasonic_松下電器/RENESAS_瑞莎/SAMSUNG_三星/ST_意法半導體/TD_TECHCODE美國泰德半導體/TI_德州儀器/VISHAY_威世/XILINX_賽靈思/芯唐微電子等等

免責聲明：部分圖文來源網絡，文章內容僅供參考，不構成投資建議，若內容有誤或涉及侵權可聯系刪除。