特征

1LMH6570是一種高性能模擬設(shè)備500 MHz，500 mVPP，−3 dB帶寬，AV=2為專業(yè)級視頻優(yōu)化的多路復用器400 MHz，2VPP，−3 dB帶寬，AV=2和其他高保真、高帶寬模擬8 ns信道切換時間應用。輸出放大器從兩個選項中選擇一個基于SEL狀態(tài)的10 MHz緩沖輸入信號下70 dB信道間隔離別針。LMH6570在0.02%，0.05°差分增益，差分相位2-VPP輸出信號電平。多媒體和高中對150 MHz高清電視（HDTV）應用而言，0.1 dB增益平坦度可受益從150 MHz的0.1-dB帶寬和2200 V/μs轉(zhuǎn)換率-LMH6570的V/μs轉(zhuǎn)換速率。寬電源電壓范圍：6 V（±3 V）至12 V（±6 V），LMH6570支持復合視頻應用−68 dB HD2@5 MHz，0.02%和0.05°差分增益和相位驅(qū)動視頻時出現(xiàn)錯誤的NTSC和NTPAL信號

−84 dB HD3@5兆赫

一個單端接75Ω負載。80毫安線性

可用于多個應用程序的電流驅(qū)動視頻輸出。

視頻路由器LMH6570增益由外部反饋和

多輸入視頻監(jiān)視器增益設(shè)置電阻，最大限度地提高靈活性。

儀器/測試設(shè)備LMH6570可用于8針SOIC

接收機中頻分集開關(guān)包。

多通道A/D驅(qū)動器

畫中畫視頻開關(guān)

電氣特性±5V

VS=±5 V，RL=100Ω，RF=576Ω，AV=2 V/V，TJ=25°C，除非另有規(guī)定。

（1） 電氣表數(shù)值僅適用于指定溫度下的工廠測試條件。工廠測試條件導致設(shè)備的有限自加熱，使TJ=TA。下的電氣表中未說明參數(shù)性能規(guī)范TJ>TA的內(nèi)部自熱條件。有關(guān)此設(shè)備溫度降額的信息，請參閱熱信息。最小/最大額定值基于產(chǎn)品測試、特性和模擬。按說明測試單個參數(shù)。

（2） 在100°C的工作溫度范圍內(nèi)，使用統(tǒng)計相關(guān)系數(shù)確保25%以上質(zhì)量控制（SQC）方法。

（3） 典型數(shù)字是最有可能的參數(shù)規(guī)范。

（4） 設(shè)計保證的參數(shù)。

（5） 回轉(zhuǎn)率是上升沿和下降沿的平均值。

（6） 用極端溫度下的參數(shù)變化除以總溫度變化確定的漂移。

（7） 正值是電流進入裝置

電氣特性±5V（續(xù)）

VS=±5 V，RL=100Ω，RF=576Ω，AV=2 V/V，TJ=25°C，除非另有規(guī)定。

（8） 最大輸出電流（IOUT）由器件功耗限制決定（結(jié)溫不能允許超過150°C）。有關(guān)詳細信息，請參見功耗。短路狀態(tài)應限制在5秒或更短時間內(nèi)。

典型性能特征

Vs=±5 V，RL=100Ω，AV=2，RF=RG=576Ω，除非另有規(guī)定。

申請信息

LMH6570是一款高速2:1模擬多路復用器，針對非常高的速度和低失真進行了優(yōu)化。與可選擇的增益和出色的交流性能，LMH6570非常適合切換高分辨率，演示級視頻信號。LMH6570沒有內(nèi)部接地參考。單一或分供兩種配置都是可能的，但是，所有邏輯功能都引用到中間供應點。這個LMH6570具有非常高的通道切換和禁用時間。禁用時，LMH6570輸出為高阻抗通過組合多個設(shè)備使MUX擴展成為可能。參見多路復用器擴展。這個LMH6570 SEL默認為邏輯低（IN0激活）。SD引腳的默認狀態(tài)也是邏輯低（設(shè)備已啟用）。如果需要默認狀態(tài)，兩個管腳都可以保持浮動。

視頻表演

LMH6570被設(shè)計為在多種格式，如高清電視和高分辨率VGA。使用后端接負載將獲得最佳性能。背面終端減少了來自傳輸線的反射并有效地屏蔽來自放大器輸出級的傳輸線和其他寄生電容。圖25顯示了一個典型的驅(qū)動75Ω電纜的配置。輸出緩沖器配置為增益為2，因此使用后終止載荷將使凈增益為1。

典型應用（續(xù)）

LMH6570具有電流反饋輸出緩沖器，其增益由外部反饋（RF）和增益設(shè)置確定電阻器（RG）。對于電流反饋放大器，閉環(huán)頻率響應是射頻的函數(shù)。為了增益為2 V/V，建議RF值為576Ω。對于其他收益，請參見圖26。通常，降低射頻從建議值將峰值頻率響應和擴展帶寬，同時增加RF值會使頻率響應更快地衰減。將RF的值降低到建議值將導致過沖、響鈴和最終振蕩。由于所有的應用都略有不同，因此有必要進行一些實驗，以找到給定條件下的最佳射頻電路。有關(guān)更多信息，請參閱電流反饋回路增益分析和性能增強，應用說明OA-13（SNOA366），描述了射頻和閉環(huán)頻率之間的關(guān)系電流反饋運算放大器的響應。針腳8的阻抗約為20Ω。這使得增益高達10V/V時具有良好的帶寬。當與超過10V/V的增益一起使用時，LMH6570將展示一個“增益帶寬產(chǎn)品”類似于典型的電壓反饋放大器。增益超過10 V/V考慮選擇像LMH6720這樣的高性能視頻放大器來提供額外的增益。

典型應用（續(xù)）

多路復用器擴展

可以使用多個LMH6570設(shè)備來擴展可選擇用于輸出的輸入的數(shù)量。

圖27顯示了使用兩個LMH6570設(shè)備的4:1 MUX。

在這種應用中，輸出穩(wěn)定可能比LMH6570開關(guān)規(guī)范長（~20 ns），在兩個單獨的LMH6570設(shè)備之間切換時。開關(guān)時間限制因素發(fā)生在LMH6570關(guān)閉，另一個使用SD（關(guān)機）引腳打開。輸出穩(wěn)定時間由第一個LMH6570進入高阻抗狀態(tài)所需的時間加上第二LMH6570輸出，用于耗散第一器件的剩余輸出電荷（受輸出電流限制第二個裝置的能力）和達到最終電壓值所需的時間。

典型應用（續(xù)）

雖然圖27 MUX擴展受益于更多的隔離，源于選定信道上未選擇信道的寄生負載，由每個多路復用器輸出上的單獨路由提供，但是配置不會在單個LMH6570設(shè)備之間產(chǎn)生最快的轉(zhuǎn)換?？焖龠^渡在LMH6570設(shè)備之間，圖28的配置可用于LMH6570輸出引腳全部為短接在一起。

典型應用（續(xù)）

圖29顯示了典型的轉(zhuǎn)換波形，并顯示了SD管腳開關(guān)在小于145納秒的時間內(nèi)穩(wěn)定下來。

如果在最終應用程序中，確保沒有兩個輸入同時呈現(xiàn)給輸出是很重要的可選的關(guān)機時間塊，可以加一個驅(qū)動引腳的延時。圖30顯示了一個這個延遲電路的可能方法。所示的延遲電路將延遲H到L的停機轉(zhuǎn)換（R1但不會延遲其L到H的躍遷。與R1相比，R2應保持較小，以便降低關(guān)機電壓，使關(guān)機延遲很少或沒有延遲。

典型應用（續(xù)）

關(guān)閉管腳使輸出級進入高阻抗狀態(tài)，幾個LMH6570器件可以連接在一起形成一個更大的輸入MUX。但是，由于未選擇的設(shè)備。圖31中的電路顯示了如何補償這種影響。對于8:1 MUX函數(shù)如圖31所示，增益誤差約為0.7%或−0.06dB。在圖31中的電路中，電阻比已調(diào)整以補償此增益誤差。通過調(diào)整每個多路復用電路的增益可以減小到所用電阻器的公差（本例中為1%）。

注意

執(zhí)行此操作時，不建議使用EN引腳禁用LMH6570多路復用器擴展。禁用時，如果所選輸入和芯片輸出超過約2伏，設(shè)備將開始進入軟故障國家。這將顯示為輸入輸出隔離降低。輸出驅(qū)動放大器非反相輸入上的信號將泄漏到反相輸入，并且然后通過反饋電阻輸出。最壞的情況是增益為1非反向輸入跟隨活動輸入緩沖器的配置反饋電阻）逆變輸入跟隨驅(qū)動輸出級的電壓。這個解決方法是使用關(guān)機模式進行多路復用器擴展。

其他應用

LMH6570可以支持帶有兩個物理分離天線的雙天線接收機。監(jiān)控當檢測到衰落時，有源天線的信號強度并切換到另一個天線是一種簡單的方法實現(xiàn)空間多樣性。這種方法使平均信號強度提高約3db，并且是最小的組合信號的昂貴方法。

典型應用（續(xù)）

驅(qū)動電容性負載

電容輸出負載應用將受益于串聯(lián)輸出電阻路徑的使用。圖32顯示使用一個串聯(lián)的輸出電阻ROUT來穩(wěn)定電容負載下的放大器輸出。電容的5到120 pF的負載是最關(guān)鍵的，會導致振鈴、頻率響應峰值和可能的振蕩。圖33給出了選擇串聯(lián)輸出電阻器以減輕電容性負載的建議值。這個圖表中建議的值選擇頻率響應峰值為0.5 dB或更低。這就產(chǎn)生了穩(wěn)定時間和帶寬之間的良好折衷。適用于最大頻率響應為在需要的情況下，一些峰值是可以容忍的，ROUT的值可以在建議值的基礎(chǔ)上稍微降低。

ESD保護

所有LM6570引腳上的靜電放電都受到保護。LMH6570將在2000-V下生存人體模型和200V機器模型事件。在正常操作下，ESD二極管不起作用電路性能。然而，在某些情況下，靜電放電二極管會很明顯。如果LMH6570是當設(shè)備斷電時，在大信號的驅(qū)動下，ESD二極管將導通。流動的電流通過ESD二極管，要么通過電源引腳離開芯片，要么流過器件。因此，在輸入管腳上施加一個大信號可以給芯片加電。使用關(guān)機模式是其中之一省電又能防止意外操作的方法。

電源建議

功耗

LMH6570在標準SOIC的小尺寸尺寸下實現(xiàn)了最大速度和性能的優(yōu)化包裹。為確保最大輸出驅(qū)動和最高性能，不提供熱關(guān)機。因此，最重要的是確保總功率不會超過TJMAX消散。按照以下步驟確定LMH6570的最大功耗：

1.計算靜態(tài)（空載）功率：PAMP=ICC*（對比），

VS=V+-V-負極

2.計算輸出級消耗的均方根功率：PD（rms）=均方根（（VS-VOUT）*IOUT）

VOUT和IOUT是通過的電壓

通過外部負載的電流和VS是總電源電壓

3.計算總RMS功率：PT=PAMP+PD（3）

LMH6570封裝在給定溫度下能耗散的最大功率可以用下式：PMAX=（150°–TAMB）/RθJA

TAMB=環(huán)境溫度（°C）

RθJA=給定封裝從結(jié)到環(huán)境的熱阻（°C/W）

對于SOIC封裝，RθJA為150°C/W

布局

布局指南

為了減少寄生電容，應移除輸入和輸出引腳附近的接地和電源層。對于長信號路徑，應使用受控阻抗線，以及阻抗匹配元件兩端。旁路電容器應盡可能靠近設(shè)備。各旁路電容器軌對地成對施加。較大的電解旁路電容器可以放置在離而較小的陶瓷電容器應盡可能靠近設(shè)備放置。在圖25，V+和V-之間的電容器是可選的，但推薦用于最佳二次諧波失真。另一種提高性能的方法是為每個電源使用成對的0.01μF和0.1μF陶瓷電容器旁路。

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