特征

電壓范圍為14V至14V

電源電壓范圍為4.5V至14V

輸出電壓可調至0.6V

±0.8%線電壓精度和溫度（0°C~125°C）

固定頻率電壓模式控制

噸低于100ns

0%至100%占空比

外部輸入電壓基準

軟啟動和抑制

大電流嵌入式驅動器

預測性抗交叉傳導控制

可編程高端和低端RDS（on）

感應過電流保護

可選開關頻率250KHz/500千赫茲

預偏壓啟動能力

功率良好輸出

180°相位主/從同步

轉移

過壓保護

熱關機

包裝：HTSSOP16

應用

LCD和PDP電視

高性能/高密度DC-DC模塊

低壓分布式DC-DC

niPOL轉換器

DDR存儲器電源

顯卡

摘要說明

該控制器是在BCD5（BiCMOS DMOS，版本5）制造中實現的集成電路為高性能降壓DC-DC和niPOL轉換器。它被設計用來驅動同步整流buck拓撲中的N溝道mosfet。這個變換器的輸出電壓可精確調節至600毫伏，最大公差為±0.8%，也可以使用0伏至2.5伏的外部基準。輸入電壓范圍為1.8V至14V，而電源電壓的范圍為4.5V至14V。高峰值電流門驅動器提供快速切換到外部電源部分，以及輸出電流可以超過20A。PWM占空比可以在0%到100%之間最小接通時間（噸，分鐘）低于100納秒，可實現非常低的轉換高開關頻率下的占空比。該設備提供電壓模式控制，包括可選頻率振蕩器（250KHz或500KHz）。誤差放大器具有10MHz的增益帶寬乘積和5V/μs的轉換率，允許實現高帶寬的快速瞬態響應。設備監控電流通過使用高側和低側MOSFET的RDS（ON），消除了對電流感應電阻，并保證在所有應用條件。必要時，兩個不同的限流保護可以是外部的通過兩個外部電阻器設置。在軟啟動階段，在軟啟動后，提供恒流保護過流時裝置進入卡阻模式。在軟啟動期間，sink模式該功能被禁用，以便在預偏壓輸出電壓下也能正常啟動條件。軟啟動后，設備可以吸收電流。其他功能都很好，主從同步（180°相移），過壓保護，反饋斷開和熱關機。HTSSOP16包允許實現緊湊型DC/DC轉換器。

電氣特性

VCC=12V，TA=25°C，除非另有規定。

設備說明

振蕩器

通過設置合適的開關頻率，開關頻率可以固定為兩個值：250KHz或500KHzEAREF引腳處的電壓（見表3。引腳功能和第4.3節內部和外部參考）。

內部LDO

內部LDO為設備的內部電路供電。這個階段的輸入是VCC引腳和輸出（5V）是VCCDR引腳（圖3）。

LDO可以旁路，直接向VCCDR提供5V電壓。在這種情況下，VCC和VCCDR引腳必須短接在一起，如圖4所示。VCCDR引腳必須用at過濾在自舉電容器充電期間，至少1μF電容器可維持內部LDO。VCCDR還代表PGOOD引腳的參考電壓（見表3）。引腳功能）。

繞過LDO以避免低Vcc下的電壓降

如果VCC≈5V，則內部LDO工作在壓降狀態，輸出電阻約為1Ω。這個最大LDO輸出電流約為100mA，因此輸出電壓降為100mV避免這種情況，可以繞過LDO。

內部和外部參考

可以通過設置EAREF引腳電壓正常。外部參照的最大值取決于

VCC：當VCC=4V時，夾鉗的工作電壓約為2V（典型值），而VCC大于5V時最大外部參考電壓為2.5V（典型值）。

從VCCDR的0%到80%的VEAREF->外部參考/Fsw=250KHz

從VCCDR的80%到95%的VEAREF->VREF=0.6V/Fsw=500KHz

從VCCDR的95%到100%的VEAREF->VREF=0.6V/Fsw=250KHz

提供從0V到450mV的外部參考電壓，輸出電壓將被調節，但是必須考慮一些限制：

最小OVP閾值設置為300mV

欠壓保護不起作用

PGOOD信號保持低

要設置電阻分壓器，必須考慮將100K下拉電阻器集成到裝置（見圖5）。最后，必須考慮到EAREF處的電壓當VCC約為4V時，設備在啟動時捕獲管腳。

軟啟動

當VCC和VIN均高于其開啟閾值時（VIN由OCH引腳監控）啟動階段開始。否則SS引腳內部對地短路。啟動時，a斜坡是通過內部電流發生器給外部電容器CSS充電而產生的。這個該電流的初始值為35μA，對電容器充電至0.5V。之后10μA，直到最終充電值約為4V（見圖6）。錯誤的輸出放大器用這個電壓（VSS）夾緊，直到達到編程值。禁止切換如果VSS低于0.5V并且兩個mosfet都關閉，則可以觀察到活動。當VSS為在0.1V和1.5V之間的場效應管是低信號所以占空比為0%。當VSS達到1.1V時（即振蕩器三角波下限）即使高邊MOSFET開始開關和輸出電壓開始增加。L6732只能在軟啟動階段提供電流為了管理預偏壓啟動應用程序。這意味著當啟動發生時當電壓大于0.5V時，Vss輸出電壓大于0.5V1.1V低側MOSFET保持關閉（見圖7和圖8）。

L6732可以在軟啟動階段后吸收或源電流（見圖9）。如果結束在軟啟動階段檢測到電流，設備提供恒流保護。這樣，在軟啟動時間短和/或電感值小和/或高的情況下輸出電容值等，在軟啟動過程中出現高紋波電流時，變頻器可在任何情況下啟動，限制電流（見第4.6節監控和保護），但不能進入打嗝模式。

在正常操作期間，如果在兩個電源中的一個上檢測到任何欠電壓，則SS引腳內部對地短路，因此SS電容器迅速放電。

司機室

高側和低側驅動器允許使用不同類型的功率mosfet（也有多個MOSFET以減少RDSON），保持快速開關轉換。低端驅動程序是由VCCDR提供，而高端驅動器由引導引腳提供。預測死亡時間控制避免了MOSFET的交叉傳導，保持了很短的死區時間20納秒的射程。控制裝置監控相節點，以便感應低側車斗二極管再循環。如果相節點電壓低于某個閾值（-350mV典型值）在死區時間內，它將在下一個PWM周期中減小。預測死區控制當高側體二極管導通時不工作，因為相節點不走沒有。這種情況發生時，轉換器正在下沉電流，例如，在這種情況下在這種情況下，自適應死區控制工作。

監測和保護

輸出電壓通過引腳FB進行監控。如果不在編程值，功率良好（PGOOD）輸出強制為低。該裝置提供過電壓保護：當FB引腳上感應到的電壓達到值比參考值大20%（典型值），只要檢測到電壓（見圖10）。

必須考慮到在輸出端子和FB引腳，因此引腳上的電壓不是輸出電壓的完美復制品。然而，由于轉換器可以吸收電流，在大多數情況下低側會在輸出電壓超過過電壓閾值之前導通，因為錯誤放大器會提前失去平衡。即使設備沒有報告過電壓行為是一樣的，因為低側是立即打開的。下圖顯示過電壓事件期間的設備行為。輸出電壓呈斜率上升以這種方式模擬高壓MOSFET的斷開作為過電壓因為。

該裝置實現了過流保護（OCP）在高壓側同時檢測電流可以設置MOSFET（s）和低端MOSFET（s）和so 2電流限制閾值（參見表3中的OCH引腳和OCL引腳。引腳功能）：

峰值電流限制

谷電流限制

峰值電流保護在高側MOSFET（s）開啟時，在掩蔽時間約為100ns。低側時，谷電流保護啟用MOSFET（s）在掩蔽時間約400ns后開啟。如果，當軟啟動階段完成后，在接通時間（峰值電流保護）或斷開時間（谷電流保護）裝置進入HICCUP模式：高壓側和低側MOSFET關閉，軟啟動電容器以恒定值放電電流為10μA，當SS引腳處的電壓達到0.5V時，軟啟動階段重新啟動。在軟啟動階段，OCP提供恒流保護。如果在噸期間OCH比較器觸發過電流高側MOSFET（s）立即轉動關閉（在屏蔽時間和內部延遲之后）并在下一個pwm周期返回on。這個這種保護的局限性是不能小于屏蔽時間加上傳播延遲因為在屏蔽時間內，峰值電流保護被禁用。如果非常困難短路，即使有這么短的噸，電流也會上升。谷電流保護在這種情況下限制電流非常有用。如果在關閉時間內OCL比較器觸發過電流，高側MOSFET在電流超過谷電流限制之前不會打開。這意味著，如果有必要，一些高邊MOSFET的脈沖將跳過，根據以下公式保證最大電流：

在恒流保護中，電流控制回路限制誤差放大器的輸出值（comp），以避免其飽和，從而在輸出返回時更快地恢復法規。圖12。顯示設備在過電流條件下的行為在軟啟動階段也會持續。

熱關斷

當結溫達到150℃±10℃時，裝置進入熱關機狀態。兩個MOSFET都被關閉，軟啟動電容器通過內部開關。直到結溫下降到120°C，并且任何情況下，直到軟啟動引腳的電壓達到500毫伏。

同步

同一電路板上存在多個轉換器會產生拍頻噪聲。到避免這種情況，重要的是使它們在相同的開關頻率下工作。此外，a不同模塊之間的相移有助于使公共輸入上的均方根電流最小化電容器。圖13和圖14顯示了兩個模塊同步的結果。二或者更多的設備可以通過連接同步管腳來同步。設備開關頻率越高，主開關頻率越高，主開關頻率越高，主開關頻率越高，開關頻率越高，主開關頻率越高，主開關頻率越高。這個從控制器將增加開關頻率，按比例減小斜坡幅度從而提高調制器的增益。

為了避免調制器增益的巨大變化，最好的方法是同步兩個或多個器件的作用是使它們在相同的開關頻率下工作，并且，在任何情況下，開關頻率都是相同的頻率最大可為最低頻率的50%。如果，同步期間在兩個（或多個）L6732之間，提前知道哪個是主人很重要，這是及時的設置開關頻率至少比從機高15%。使用外部時鐘信號（fEXT）同步一個或多個以不同開關頻率工作的設備（fSW）建議遵循以下公式：

主從相移約為180°。

最小接通時間（噸，分）

該設備可以管理小于100ns的最小接通時間。這個功能來自從L6732的特殊過流保護系統的控制拓撲結構出發。事實上，在電壓模式控制器中，不需要感應電流來執行調節，并且在L6732的情況下，既不適用于過流保護，又考慮到在斷電期間谷電流保護可在任何情況下運行。與此功能相關的第一個優勢是實現極低轉化率的可能性。圖15顯示了從500KHz時為14V至0.3V，噸約為50ns。

導通時間受mosfet開關時間的限制。

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