一般說明

LP2967是一個150毫安，雙固定輸出電壓調節器旨在為電池供電的應用提供超低的壓降和低噪音。使用優化的VIP（垂直集成PNP）過程，LP2967在所有對電池供電的設計至關重要的規格中提供了無與倫比的性能：

跌落電壓：在150毫安負載下通常為240毫伏，以及每個輸出在1mA負載下為6mV。

接地引腳電流：150毫安負載時通常為1毫安，以及每個輸出在1mA負載下為200μA。

增強穩定性：LP2967穩定，輸出電容器ESR低至5 mΩ，允許使用陶瓷輸出端有電容器。

睡眠模式：SD時靜態電流小于2μA銷被拉低。

最小尺寸：微型SMD封裝使用絕對最小板空間。

精度輸出：公差1.25%。

低噪音：通過增加一個100nF的旁路電容，輸出噪聲可降低至30μV（典型值）。提供多種電壓選項，從1.8V到5.0V。有關定制電壓，請咨詢工廠。

特征

超低跌落電壓

保證150毫安輸出電流，300毫安峰值

最小尺寸（微型SMD封裝）

需要最少的外部組件

使用2.2μF鉭或陶瓷電容器穩定

輸出電壓精度±1%

<2μA關機時的靜態電流

寬電源電壓范圍（最大16V）

低電壓區：0.3Ω（10 Hz至1 MHz）

過溫/過流保護

−40˚C至+125˚C結溫范圍

提供定制電壓

應用

手機

掌上電腦/筆記本電腦

個人數字助理（PDA）

攝像機、個人立體聲音響和照相機

*SD1和SD2必須主動終止。如果不需要它們的功能，請將它們與VIN聯系起來。

**顯示最小電容以確保穩定性（可無限制地增加）。

***降低輸出噪聲（如果應用不是噪聲關鍵，則可以省略）。使用泄漏電流非常低的陶瓷或薄膜型。

絕對最大額定值（注1）

如果需要軍用/航空航天專用設備，

儲存溫度范圍−65˚C至+150˚C

引線溫度。（紅外回流焊，10秒）245˚C

襯墊溫度。（紅外回流焊，10秒）245˚C

工作結溫度。范圍−40˚C至+125˚C

功耗（注4）內部有限

ESD額定值（注2）1.5kV

輸入電源電壓（生存）−0.3V至+16V

輸入電源電壓（工作）2.1V至+16V

停機輸入電壓（生存）−0.3V至+16V

輸出電壓（存活）（注4）

IOUT（生存）短路保護

輸入輸出電壓（生存），（注5）

電氣特性

標準字體的限值適用于Tj=25°C，黑體字的限值適用于整個工作結溫范圍。除非另有規定，否則VIN=VO（標稱值）+1V，IL=1mA，CIN=1μF，COUT=4.7μF，VON/OFF=1.6V。

注1：絕對最大額定值表示設備可能發生損壞的極限值。操作設備時，電氣規格不適用超過額定工作條件。

注2：額定值適用于人體模式，100pF電容器通過1.5kΩ電阻器放電到每個引腳。

注3：最大允許功率損耗用PDMAX=（TJMAX-TA/θJA）計算，其中TJMAX為最高結溫，TA為環境溫度，θJA是指定封裝的環境熱阻的結。因此，必須降低最大功耗在高溫下，受到TJMAX、θJA和A的限制。

注4：如果在調節器負載返回負電源的雙電源系統中使用，則LP2967輸出必須二極管鉗接地。

注5：輸出PNP結構在VIN和VOUT端子之間包含一個二極管，通常為反向偏置。從VIN和VOUT反轉極性將打開這個二極管。

注6：超過溫度的負載調節偏移包括在輸出電壓公差中。輸出電壓差在100mV范圍內時，電壓差被定義為輸出電壓的最小值1V差分。

典型性能特性，除非另有規定：CIN=1μF，COUT=4.7μF，VON/OFF=1.6V，IL=1mA，TA=25˚C。

程序提示

外部電容器

LP2967低壓差調節器需要兩個外部電容器，CIN和COUT，以確保設備的輸出穩定性。CBYPASS可用于降低輸出噪聲。這個必須根據所有三個電容器的電容值和ESR值正確選擇電容器庫特。

輸入電容器

最小電容值為1μF的輸入電容器在LP2967輸入和接地之間需要電容量可無限增加）。這個電容器的放置距離不得超過0.5距離輸入引腳英寸，并返回到干凈的模擬接地。可以使用任何質量好的陶瓷或鉭對于這個電容器。

輸出電容器

輸出電容器必須滿足最小電容值2.2μF的要求，并具有適當的ESR（等效串聯電阻）值。LP2967實際上是設計用于陶瓷或鉭的輸出電容器，利用允許調節器輸出電容器ESR低至4，穩定mΩ。也可以在但由于尺寸的原因，這種類型的產品沒有那么吸引人以及成本。

重要事項：輸出電容器必須保持其ESR整個工作溫度范圍內的穩定區域確保穩定性的應用。最低要求輸出電容量為2.2μF。輸出電容器尺寸可以無限增加。重要的是要記住電容器的耐受性和隨溫度的變化在選擇輸出時必須考慮使電容器所需的最小輸出量在整個工作溫度下提供電容范圍。

空載運行

如果使用2.2μF輸出電容器，則最小穩定ESR當負載電流低于1 mA時，該值上升至約0.5Ω。如果最小輸出負載<1mA（COUT=2.2μF），a應使用鉭輸出電容器（a陶瓷會太低）。應注意，如果4.7μF（或較大）使用輸出電容器，部件完全穩定從空載到滿載輸出的鉭或陶瓷電流。

旁路電容器

將10 nF電容器顯著地連接到旁路引腳上降低調節器輸出的噪音。應該指出的是電容器直接連接到高阻抗帶隙基準電路。因為這個電路只有幾微安的電流流入該節點，該節點上的任何顯著負載都會導致調節輸出的變化電壓。因此，直流漏電流通過噪聲旁路電容器不得超過100毫安，并且應保持盡可能低的最佳輸出電壓準確度。最適合噪聲的電容器類型旁路電容器是陶瓷和薄膜電容器。高質量NPO或COG介質陶瓷電容器通常泄漏量很低。10 nF聚丙烯和聚碳酸酯薄膜電容器有小表面安裝封裝，通常具有極低的泄漏電流。

電容器特性

陶瓷

陶瓷電容器的ESR值最低使它們最能消除高頻噪聲。這個LP2967的輸出至少需要2.2μF的電容。典型的2.2μF陶瓷電容器的ESR在范圍從4 mΩ到20 mΩ，很容易滿足ESR限制LP2967要求的穩定性。一個缺點陶瓷電容器的電容可以隨溫度。大多數大容量陶瓷電容器均采用Z5U或Y5V溫度特性制造，導致電容下降50%以上當溫度從25攝氏度上升到85攝氏度時，這可能會如果在輸出，因為它將下降到約1μF在高環境溫度。這可能導致LP2967操作系統崩潰。如果輸出端使用Z5U或Y5V電容器，則必須使用最小電容值4.7μF。陶瓷電容器溫度系數的一個較好的選擇是X7R或X5R，將電容控制在在整個溫度范圍內±15%。不幸的是在X7R介質中，并非所有制造商都能提供更大的電容值。

鉭

對于LP2967，鉭電容器不如用作輸出電容器的陶瓷，因為當比較2.2μF至4.7μF范圍內的等效電容和電壓額定值時，它們通常更昂貴電容。鉭電容器具有良好的溫度穩定性：測試了4.7μF，顯示出10%的下降當溫度從+125°C降低時的電容達到−40˚C，而ESR在相同的溫度范圍。血沉的增加當質量處于臨界狀態時，溫度會引起振蕩使用電容器，ESR值的上限為超過。

鋁

大尺寸鋁電解電容器使其與LP2967一起使用時不具吸引力。他們的ESR特性也不太適合LDO調節器。鋁電解液的ESR為比鉭還高，而且它的變化也很大溫度。一個典型的鋁電解可以表現出當從20˚C變為−40˚C時，ESR增加50倍，有些鋁電解電容器不能在 25˚C的溫度下使用，因為電解液會凍結。

停機操作

LP2967中的兩個LDO調節器具有獨立的關閉引腳。關閉引腳SD1或SD2的低邏輯電平信號將關閉相應的調節器輸出VOUT1或VOUT2。插腳SD1和SD2必須在以下情況下，通過將它們與VIN綁定以進行正確操作而終止不需要停機功能。

反向電流路徑

LP2967內部功率晶體管有一個固有的寄生二極管。正常工作時，輸入電壓為高于輸出電壓，寄生二極管反向偏壓。但是，如果輸出被拉到在應用程序中輸入，然后電流從輸出流向如果寄生二極管正向偏壓輸入。這個輸出可以拉到輸入端以上只要電流寄生二極管被限制在150mA。

應用提示（續）

最大功率消散能力每個輸出引腳LP2967可以提供高達在整個工作結溫度范圍內為150毫安。但是，最大輸出電流必須在更高的環境溫度，以確保接頭溫度不超過125℃。在所有可能的條件下，接頭溫度必須在規定范圍內在操作條件下。LP2967在MSOP-8封裝和8-bump微型貼片。連接到MSOP-8封裝的環境溫度系數（θJA）為235℃/W，8凸點微貼片最小銅面積為220˚C/W

設備由：PD=（VIN−VOUT1）IOUT1+（VIN−VOUT2）IOUT2設備的最大功耗

可容忍度可通過以下公式計算：PDmax=（TJMAX−TA）/θJA式中，TJMAX是規定的最高結溫（125°C），TA為最高環境溫度。

　　安芯科創是一家國內芯片代理和國外品牌分銷的綜合服務商,公司提供芯片ic選型、藍牙WIFI模組、進口芯片替換國產降成本等解決方案,可承接項目開發,以及元器件一站式采購服務,類型有運放芯片、電源芯片、MO芯片、藍牙芯片、MCU芯片、二極管、三極管、電阻、電容、連接器、電感、繼電器、晶振、藍牙模組、WI模組及各類模組等電子元器件銷售。（關于元器件價格請咨詢在線客服黃經理：15382911663）

　　代理分銷品牌有：ADI_亞德諾半導體/ALTBRA_阿爾特拉/BARROT_百瑞互聯/BORN_伯恩半導體/BROADCHIP_廣芯電子/COREBAI_芯佰微/DK_東科半導體/HDSC_華大半導體/holychip_芯圣/HUATECH_華泰/INFINEON_英飛凌/INTEL_英特爾/ISSI/LATTICE_萊迪思/maplesemi_美浦森/MICROCHIP_微芯/MS_瑞盟/NATION_國民技術/NEXPERIA_安世半導體/NXP_恩智浦/Panasonic_松下電器/RENESAS_瑞莎/SAMSUNG_三星/ST_意法半導體/TD_TECHCODE美國泰德半導體/TI_德州儀器/VISHAY_威世/XILINX_賽靈思/芯唐微電子等等

免責聲明：部分圖文來源網絡，文章內容僅供參考，不構成投資建議，若內容有誤或涉及侵權可聯系刪除。